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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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IS25WX128-JHLE-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC FLSH 128MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25R256JWEIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:RPMC SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25R512NWEIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:SECURE SPIFLASH, 1.8V, 256MB+32M *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:- 存储器接口:SPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS43TR16640CL-125JBL-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 96-TFBGA | 96-TWBGA（9x13） | 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W74M25JWZPIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x5） | 描述:SECURITY AUTHENTICATION SPIFLASH *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU8NB-11 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG8NB-11 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X8, 933MHZ, T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG6NB-09 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X16, 1066MHZ T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU6NB-09 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 1066 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W74M25JWZEIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:SECURITY AUTHENTICATION SPIFLASH *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25M321AVEIT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:1GB SERIAL NAND FLASH 3V + 32MB *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND，FLASH - NOR *存储容量:32Mb（FLASH-NOR），1Gb（FLASH-NAND）(4M x 8（FLASH-NOR），128M x 8（FLASH-NAND）） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25LX128-JHLA3-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC FLSH 128MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU8NB-09 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG8NB-09 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X8, 1066MHZ, T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97AH6NBVA2E TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:1GB LPDDR2, X16, 400MHZ, -25 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97AH6NBVA2I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:1GB LPDDR2, X16, 400MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97AH2NBVA2E TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:1GB LPDDR2, X32, 400MHZ, -25 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:1Gb（32M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97AH2NBVA2I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:1GB LPDDR2, X32, 400MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:1Gb（32M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W971GG6NB25I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 84-TFBGA | 84-TFBGA（8x12.5） | 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:SSTL_18 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TFBGA（8x12.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W971GG8NB-18I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 60-VFBGA | 60-VFBGA（8x9.5） | 描述:1GB, DDR2-1066, X8 IND TEMP T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SSTL_18 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:350 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-VFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA（8x9.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W971GG6NB-18I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 84-TFBGA | 84-TFBGA（8x12.5） | 描述:1GB, DDR2-1066, X16 IND TEMP T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:SSTL_18 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:350 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TFBGA（8x12.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25M161AWEIT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:1GB SERIAL NAND FLASH 1.8V + 16M *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND，FLASH - NOR *存储容量:16Mb（FLASH-NOR），1Gb（FLASH-NAND）(2M x 8（FLASH-NOR），128M x 8（FLASH-NAND）） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W9825G6JB-6I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 54-TFBGA | 54-TFBGA（8x8） | 描述:256MB SDR SDRAM X16, 166MHZ, IND *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:256Mb（16M x 16） 存储器接口:LVTTL 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA（8x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25WX128-JHLA3-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC FLSH 128MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97AH2NBVA1I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:1GB LPDDR2, X32, 533MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:1Gb（32M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |