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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W29N01HZBINA TR
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Winbond Electronics | 63-VFBGA | 63-VFBGA(9x11) | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 1-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W29N01HWBINA TR
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Winbond Electronics | 63-VFBGA | 63-VFBGA(9x11) | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 1-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W29N01HZBINF TR
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Winbond Electronics | 63-VFBGA | 63-VFBGA(9x11) | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W29N01HWBINF TR
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Winbond Electronics | 63-VFBGA | 63-VFBGA(9x11) | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU6NB-15 TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 667M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU6NB-12 TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 800M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
NDT18PFH-9MET TR
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Insignis Technology Corporation | 78-VFBGA | 78-FBGA(8x10.5) | 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25R256JVFIQ TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:RPMC SPIFLASH, 3V, 256M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W989D6DBGX6E TR
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Winbond Electronics | 54-TFBGA | 54-VFBGA(8x9) | 描述:512MB LPSDR, X16, 166MHZ, 46NM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPSDR *存储容量:512Mb(32M x 16) 存储器接口:LVCMOS 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-VFBGA(8x9) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W989D2DBJX6E TR
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Winbond Electronics | 90-TFBGA | 90-VFBGA(8x13) | 描述:512MB LPSDR, X32, 166MHZ, 46NM T *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPSDR *存储容量:512Mb(16M x 32) 存储器接口:LVCMOS 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-TFBGA 供应商器件封装:90-VFBGA(8x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W74M25JVSFIQ TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:SECURITY AUTHENTICATION SPIFLASH *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N01JWTBIG TR
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA(8x6) | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N01JWTBIT TR
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA(8x6) | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W77Q32JWSSIR TR
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Winbond Electronics | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:256MB HYPERRAM X8, 250MHZ, IND T *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:- 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25M161AVEIT TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:1GB SERIAL NAND FLASH 3V + 16MB *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND,FLASH - NOR *存储容量:16Mb(FLASH-NOR),1Gb(FLASH-NAND)(2M x 8(FLASH-NOR),128M x 8(FLASH-NAND)) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LX128-JHLE-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC FLSH 128MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25R256JWPIQ TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:RPMC SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GG8NB-15 TR
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X8, 667MHZ T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU8NB-15 TR
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 667MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU8NB-12 TR
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 800MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GG8NB-12 TR
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X8, 800MHZ, T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GG6NB-11 TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X16, 933MHZ,T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU6NB-11 TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 933M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9412G6JB-5I TR
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Winbond Electronics | 54-TFBGA | 54-TFBGA(8x8) | 描述:128MB DDR SDRAM X16, 200MHZ, IND *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb(8M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:700 ps *电压 - 电源:2.7V ~ 2.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9412G6JB-5 TR
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Winbond Electronics | 54-TFBGA | 54-TFBGA(8x8) | 描述:128MB DDR SDRAM X16, 200MHZ T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb(8M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:700 ps *电压 - 电源:2.7V ~ 2.3V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |