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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W25Q256JWFIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W9864G2JH-6I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 86-TSOP II | 描述:64MB, SDR SDRAM, X32, 166MHZ, 65 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb（2M x 32） 存储器接口:LVTTL 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:86-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N01GVTCIG TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N01GVTBIG TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N01JWZEIG TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N01JWZEIT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W29N01HVDINF TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 48-VFBGA | 48-VFBGA（8x6.5） | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 3V, 4-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（8x6.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS7C31026B-12TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2 *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb（64K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W29N01HVBINF TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 63-VFBGA | 63-VFBGA（9x11） | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 3V, 4-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W29N01HVBINA TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 63-VFBGA | 63-VFBGA（9x11） | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 3V, 1-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W29N01HZSINA TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 1-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W29N01HZSINF TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 3V, 4-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N01JWSFIT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N01JWSFIG TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q256JWBIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W957D8MFYA5I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA, DDP (6x8) | 描述:128MB HYPERRAM X8, 200MHZ, IND T *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:36 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA, DDP (6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W29N01HZDINA TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 48-VFBGA | 48-VFBGA（8x6.5） | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 1-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（8x6.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W29N01HZDINF TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 48-VFBGA | 48-VFBGA（8x6.5） | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（8x6.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N01GWTBIG TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N01GWTCIG TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25R256JVEIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:RPMC SPIFLASH, 3V, 256M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W971GG8NB-25 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 60-VFBGA | 60-VFBGA（8x9.5） | 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SSTL_18 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-VFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA（8x9.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W971GG8NB-18 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 60-VFBGA | 60-VFBGA（8x9.5） | 描述:1GB, DDR2-1066, X8 T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SSTL_18 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:350 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-VFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA（8x9.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W74M25JVZEIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:SECURITY AUTHENTICATION SPIFLASH *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W957A8MBYA5I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | - | - | 描述:128MB HYPERRAM X8, 200MHZ, IND T *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |