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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W25R128JWEIQ TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:RPMC SPIFLASH, 1.8V, 128M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GWFIR TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GWFIT TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W74M12JWZEIQ TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:SECURITY AUTHENTICATION SPIFLASH *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N01GVZEIR TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q256JVMIQ TR
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Winbond Electronics | 8-WLGA 裸露焊盘 | 8-WFLGA(6x5) | 描述:SPIFLASH, 3V, 256M-BIT, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WLGA 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WFLGA(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9864G6KT-6 TR
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Winbond Electronics | 54-TFBGA | 54-TFBGA(8x8) | 描述:64MB, SDR SDRAM, X16, 166MHZ, 46 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9825G6KB-6 TR
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Winbond Electronics | 54-TFBGA | 54-TFBGA(8x8) | 描述:64MB, SDR SDRAM, X16, 166MHZ, 46 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GVBIT TR
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W956D6KBKX7I TR
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Winbond Electronics | 49-WFBGA | 49-WFBGA(4x4) | 描述:64MB PSRAM X16, ADM, 133MHZ, IND *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:64Mb(4M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:70 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:49-WFBGA 供应商器件封装:49-WFBGA(4x4) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LX064-JHLA3-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC FLSH 64MBIT SPI OCTAL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q256JWPIQ TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q256JWPIM TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N01GVSFIG TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25WX064-JHLA3-TR
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卷带(TR)
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC FLSH 64MBIT SPI OCTAL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9864G6JB-6I TR
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Winbond Electronics | 60-TFBGA | 60-VFBGA(6.4x10.1) | 描述:64MB SDR SDRAM X16, 166MHZ, IND *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb(4M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(6.4x10.1) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9864G6JB-6 TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 60-TFBGA | 60-VFBGA(6.4x10.1) | 描述:64MB SDR SDRAM X16, 166MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb(4M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(6.4x10.1) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
NDD36PT6-2AIT TR
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Insignis Technology Corporation | 66-TSSOP (szerokość 0,400",10,16mm) | 66-TSOP II | 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:700 ps *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP (szerokość 0,400",10,16mm) 供应商器件封装:66-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N01GWZEIG TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q256JWEIQ TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9864G6JT-6I TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 54-TFBGA | 54-TFBGA(8x8) | 描述:64MB SDR SDRAM X16, 166MHZ, IND *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb(4M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W29N01HVSINA TR
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Winbond Electronics | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 48-TSOP | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 3V, 1-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W29N01HVSINF TR
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ROHS
卷带(TR)
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Winbond Electronics | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 48-TSOP | 描述:1G-BIT NAND FLASH, 3V, 4-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q256JWYIM TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 32-UFBGA,WLCSP | - | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-UFBGA,WLCSP 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q256JWYIQ TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 32-UFBGA,WLCSP | - | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-UFBGA,WLCSP 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |