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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W956D8MBKX5I TR
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Winbond Electronics | - | - | 描述:64MB HYPERRAM X8, 200MHZ, IND TE *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W948V6KBHX5E TR
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Winbond Electronics | 60-TFBGA | 60-VFBGA(8x9) | 描述:256MB LPDDR, X16, 200MHZ T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:LVCMOS 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25FL064LABMFI003
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 64BIT SPI 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W948V6KBHX5I TR
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Winbond Electronics | 60-TFBGA | 60-VFBGA(8x9) | 描述:256MB LPDDR, X16, 200MHZ, INDUST *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:LVCMOS 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q128JWCIQ TR
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GVEIT TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GVEIG TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GVEIR TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
LE25S161XBTAG
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onsemi | 8-XFBGA,WLCSP | 8-WLCSP(2.92x1.53) | 描述:IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8WLCSP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:70 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:- *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 90°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XFBGA,WLCSP 供应商器件封装:8-WLCSP(2.92x1.53) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9816G6JB-7I TR
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Winbond Electronics | 60-TFBGA | 60-VFBGA(6.4x10.1) | 描述:16MB, SDR SDRAM, 143MHZ, IND TEM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:143 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(6.4x10.1) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9816G6JB-5 TR
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Winbond Electronics | 60-TFBGA | 60-VFBGA(6.4x10.1) | 描述:16MB, SDR SDRAM, 200MHZ T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:4.5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(6.4x10.1) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GVFIT TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GVFIG TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GVFIR TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9812G6KH-5I TR
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Winbond Electronics | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 54-TSOP II | 描述:128MB SDR SDRAM X16, 200MHZ, IND *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb(8M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:4.5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:54-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W74M12JWZPIQ TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:SECURITY AUTHENTICATION SPIFLASH *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LX064-JHLE-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC FLSH 64MBIT SPI OCTAL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25R128JWPIQ TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:RPMC SPIFLASH, 1.8V, 128M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W956A8MBYA5I TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:64MB HYPERRAM X8, 200MHZ, IND TE *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GWEIR TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GWEIT TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25FL064LABMFV003
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 64BIT SPI 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W74M12JWSSIQ TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:SECURITY AUTHENTICATION SPIFLASH *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25R128JWSIQ TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:RPMC SPIFLASH, 1.8V, 128M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25WX064-JHLE-TR
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卷带(TR)
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC FLSH 64MBIT SPI OCTAL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |