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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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HPA01220DBZR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Texas Instruments | - | - | 描述:IC EPROM 1KB SERIAL SDQ SOT23-3 *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q64JVXGIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-XDFN 裸露焊盘 | 8-XSON（4x4） | 描述:SPIFLASH, 64M-BIT, DTR, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-XSON（4x4） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q64JWUUIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON（4x3） | 描述:SPIFLASH, 1.8V 64M-BIT, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON（4x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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CAV24C512HU5EGT3-TE
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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onsemi | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-UDFN（3x2） | 描述:EEPROM SERIAL 512-KB I2C- AUTOMO *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（3x2） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W77Q32JWSSIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:- 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W77Q32JWSSIN TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:- 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W77Q32JWSFIS
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:- 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q64JVTBIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:SPIFLASH, 64M-BIT, DTR, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MX25U6432FBBI02
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Macronix | 14-XFBGA，WLCSP | 14-WLCSP | 描述:IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 14WLCSP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:40µs，3ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.65V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-XFBGA，WLCSP 供应商器件封装:14-WLCSP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AT25QL128A-UIUE-T
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Dialog Semiconductor GmbH | 21-XFBGA，WLCSP | 21-WLCSP（3.02x3.29） | 描述:128 MBIT, 1.8V, -40C TO 85C, QUA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:150µs，5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:21-XFBGA，WLCSP 供应商器件封装:21-WLCSP（3.02x3.29） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AT25SL128A-UIUE-T
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Dialog Semiconductor GmbH | 21-UFBGA，WLCSP | 21-WLCSP（3.02x3.29） | 描述:128 MBIT, 1.8V, -40C TO 85C, SIN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:150µs，5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:21-UFBGA，WLCSP 供应商器件封装:21-WLCSP（3.02x3.29） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W77M26FJWFIE TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W77Q32JWSFIO TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:- 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W9816G6JH-7 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 50-TSOP II | 描述:16MB, SDR SDRAM, 133MHZ T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb（1M x 16） 存储器接口:LVTTL 时钟频率:143 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:50-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W9816G6JH-7I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 50-TSOP II | 描述:16MB, SDR SDRAM, 133MHZ, IND TEM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb（1M x 16） 存储器接口:LVTTL 时钟频率:143 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:50-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W77Q32JWSFIN
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:- 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MX25R6435FBFIL0
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Macronix | 22-XFBGA，WLCSP | 22-WLCSP | 描述:IC FLASH 64MBIT SPI QUAD 22WLCSP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字，页:100µs，3.6ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:22-XFBGA，WLCSP 供应商器件封装:22-WLCSP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W955D8MBYA6I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:32MB HYPERRAM X8, 166MHZ, IND TE *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:36ns 访问时间:36 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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NV24C512MUW3VTBG
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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onsemi | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-UDFN（2x3） | 描述:IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8UDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25R64JVSSIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:RPMC SPIFLASH, 3V, 64M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AT25QF128A-SHBHD-T
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Dialog Semiconductor GmbH | 8-SOIC（5.30MM 宽） | SOP8 208MIL | 描述:128 MBIT, 3.0V, -40C TO 105C, QU *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:120 MHz 写周期时间 - 字，页:50µs，2.4ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:SOP8 208MIL 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N512GVPIR TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x5） | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N512GVPIG TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x5） | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N512GVPIT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x5） | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W956D8MBYA5I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:64MB HYPERRAM X8, 200MHZ, IND TE *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |