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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
IS25WP040E-JYLE-TR
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10+: 3.6449 100+: 3.5798 1000+: 3.5473 3000+: 3.4497
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-UFDFN 裸露焊盘 8-USON(2x3) 描述:IC FLASH 4MB SPI 65NM 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb(512K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:1.2ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q80DLSNIG TR
卷带(TR)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Winbond Electronics 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:SPIFLASH, 8M-BIT, 4KB UNIFORM SE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb(1M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字,页:30µs,3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AT25FF161A-SSPN-T
卷带(TR)
10+: 4.5941 100+: 4.5121 1000+: 4.4711 3000+: 4.3480
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Dialog Semiconductor GmbH 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:16 MBIT, WIDE VCC (1.65V TO 3.6V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:32µs,6.5ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.75V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q16JVSNIM TR
卷带(TR)
10+: 4.5182 100+: 4.4375 1000+: 4.3972 3000+: 4.2761
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Winbond Electronics 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:SPIFLASH, 3V, 16M-BIT, 4KB UNIFO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q16JVSSIM TR
卷带(TR)
10+: 4.5182 100+: 4.4375 1000+: 4.3972 3000+: 4.2761
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Winbond Electronics 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:SPIFLASH, 3V, 16M-BIT, 4KB UNIFO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q16JLSNIG TR
卷带(TR)
10+: 4.5182 100+: 4.4375 1000+: 4.3972 3000+: 4.2761
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Winbond Electronics 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:SPIFLASH, 16M-BIT, 4KB UNIFORM S *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q40EWBYIG TR
卷带(TR)
10+: 4.5435 100+: 4.4624 1000+: 4.4218 3000+: 4.3001
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Winbond Electronics 8-XFBGA,WLCSP 8-WLCSP(1.34x1.63) 描述:SPIFLASH, 1.8V 4M-BIT, 4KB UNIFO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb(512k x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:30µs,800µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XFBGA,WLCSP 供应商器件封装:8-WLCSP(1.34x1.63) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
NV24C64DTVLT3G
卷带(TR)
10+: 4.9485 100+: 4.8601 1000+: 4.8159 3000+: 4.6834
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onsemi 8-TSSOP(4.40mm 宽) 8-TSSOP 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb(8K x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字,页:4ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP(4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt NV25128DWHFT3G
卷带(TR)
10+: 4.9612 100+: 4.8726 1000+: 4.8283 3000+: 4.6954
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onsemi 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN(2x3) 描述:128 KB SPI SER CMOS EEPROM (ONC1 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:128Kb(16K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:40 ns *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AT25SF161B-UUD-T
卷带(TR)
10+: 4.8093 100+: 4.7234 1000+: 4.6805 3000+: 4.5516
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Dialog Semiconductor GmbH 8-XFBGA,WLCSP 8-WLCSP(1.61x1.35) 描述:IC FLSH 16MBIT SPI 104MHZ 8WLCSP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字,页:50µs,1.8ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.5V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XFBGA,WLCSP 供应商器件封装:8-WLCSP(1.61x1.35) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q16JVBYIQ TR
卷带(TR)
10+: 5.1890 100+: 5.0963 1000+: 5.0500 3000+: 4.9110
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Winbond Electronics 8-XFBGA,WLCSP 8-WLCSP(1.68x1.64) 描述:SPIFLASH, 3V, 16M-BIT, 4KB UNIFO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XFBGA,WLCSP 供应商器件封装:8-WLCSP(1.68x1.64) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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卷带(TR)
10+: 5.3661 100+: 5.2703 1000+: 5.2224 3000+: 5.0787
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onsemi 8-TSSOP(4.40mm 宽) 8-TSSOP 描述:IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:8K(1K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字,页:4ms 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP(4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt NV25128DTHFT3G
卷带(TR)
10+: 5.5307 100+: 5.4319 1000+: 5.3825 3000+: 5.2344
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onsemi 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN(2x3) 描述:128 KB SPI SER CMOS EEPROM (ONC1 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:128Kb(16K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:40 ns *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt NV25256DWHFT3G
卷带(TR)
10+: 5.5813 100+: 5.4816 1000+: 5.4318 3000+: 5.2823
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onsemi 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN(2x3) 描述:256 KB SPI SER CMOS EEPROM SOIC8 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:80 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MX25U1632FBHI02
卷带(TR)
10+: 5.9230 100+: 5.8172 1000+: 5.7644 3000+: 5.6057
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Macronix 8-XFBGA,WLCSP 8-WLCSP 描述:IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 12WLCSP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:40µs,3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XFBGA,WLCSP 供应商器件封装:8-WLCSP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt NV25256DTHFT3G
卷带(TR)
10+: 6.1382 100+: 6.0286 1000+: 5.9737 3000+: 5.8093
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onsemi 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN(2x3) 描述:256KB SPI SER CMOS EEPROM (ONC18 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:80 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
BR93A56F-WME2
卷带(TR)
10+: 6.3407 100+: 6.2274 1000+: 6.1708 3000+: 6.0010
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Rohm Semiconductor 8-SOIC(4.40mm 宽) 8-SOP 描述:AUTOMOTIVE MICROWIRE BUS 2KBIT ( *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb(128 x 16) 存储器接口:Microwire,SPI 时钟频率:2 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JVSNIQ TR
卷带(TR)
10+: 6.6950 100+: 6.5755 1000+: 6.5157 3000+: 6.3364
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Winbond Electronics 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:SPIFLASH, 32M-BIT, 4KB UNIFORM S *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JVSSIM TR
卷带(TR)
10+: 6.6950 100+: 6.5755 1000+: 6.5157 3000+: 6.3364
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Winbond Electronics 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:SPIFLASH, 32M-BIT, DTR, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JWUUIMTR
卷带(TR)
10+: 7.2139 100+: 7.0851 1000+: 7.0207 3000+: 6.8275
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Winbond Electronics 8-UFDFN 裸露焊盘 8-USON(4x3) 描述:SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, 4KB UNI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON(4x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JWXGIQ TR
卷带(TR)
10+: 7.2139 100+: 7.0851 1000+: 7.0207 3000+: 6.8275
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Winbond Electronics 8-XDFN 裸露焊盘 8-XSON(4x4) 描述:SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, 4KB UNI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-XSON(4x4) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W74M00AVSNIG TR
卷带(TR)
10+: 7.6948 100+: 7.5574 1000+: 7.4887 3000+: 7.2826
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Winbond Electronics 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:SECURITY AUTHENTICATOR W/MONOTON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W74M00AVSSIG TR
卷带(TR)
10+: 7.6948 100+: 7.5574 1000+: 7.4887 3000+: 7.2826
我要买
Winbond Electronics 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:SECURITY AUTHENTICATOR W/MONOTON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AT25FF321A-MBUN-T
卷带(TR)
10+: 8.2264 100+: 8.0795 1000+: 8.0061 3000+: 7.7857
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Adesto Technologies 8-UDFN 裸露焊盘 8-UDFN(5x6) 描述:8-PIN 3X4 DFN, IND TEP, WIDE VCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN(5x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt AT25SF641B-SPB-T
卷带(TR)
10+: 8.5555 100+: 8.4027 1000+: 8.3263 3000+: 8.0971
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Dialog Semiconductor GmbH 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:64 MBIT, 3.0V, -40C TO 85C,SILVE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:50µs,3ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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