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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W631GG8NB15I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X8, 667MHZ, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU8NB12I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 800MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU6NB09I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU6NB11I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG6NB09I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X16, INDUSTRIAL *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG6NB11I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X16, INDUSTRIAL *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG8NB11I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X8, 933MHZ, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU8NB11I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU8NB09I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG8NB09I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X8, 1066MHZ, IND *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25LP512MG-RMLE-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:512MB QPI/QSPI, 16-PIN SOP 300MI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:50µs，1ms 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS21ES08GA-JCLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 100-LBGA | 100-LFBGA（14x18） | 描述:IC FLASH 64GBIT EMMC 100LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（MLC） *存储容量:64Gb（8G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LFBGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS21ES08GA-JQLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 100-LBGA | 100-LFBGA（14x18） | 描述:IC FLASH 64GBIT EMMC 100LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（MLC） *存储容量:64Gb（8G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LFBGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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Micron Technology Inc. | 100-VBGA | 100-VBGA（12x18） | 描述:IC FLASH 16GB PARALLEL 100VBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:16Gb（2G x 8） 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:20ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-VBGA 供应商器件封装:100-VBGA（12x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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NV24C16SNVLT3G
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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onsemi | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 | 5-TSOP | 描述:IC EEPROM 16KBIT I2C 5TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:900 ns *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 供应商器件封装:5-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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NV24C08SNVLT3G
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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onsemi | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 | 5-TSOP | 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 5TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:8K（1K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:900 ns *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 供应商器件封装:5-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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NV24C32UVLT2G
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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onsemi | 8-VFSOP（宽2.30mm 间距0.5mm） | US8 | 描述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ US8 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:32Kb（4K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VFSOP（宽2.30mm 间距0.5mm） 供应商器件封装:US8 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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CAT34C02HU4IGT4U5
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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onsemi | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-UDFN（2x3） | 描述:2KB I2C SER EEPROM SPD *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb（256 x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:900 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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NV24C04DTVLT3G
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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onsemi | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP | 描述:IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb（512 x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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NV24C16DTVLT3G
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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onsemi | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP | 描述:IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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NV24C64UVLT2G
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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onsemi | 8-VFSOP（宽2.30mm 间距0.5mm） | US8 | 描述:64KB I2C SER EEPROM FOR VCC=1.7V *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VFSOP（宽2.30mm 间距0.5mm） 供应商器件封装:US8 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24G16FVT-3NE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Rohm Semiconductor | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP-B | 描述:16K BIT, IC BUS, LOW CURRENT CON *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP-B 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
%20Renders/706~8USON-,60-2x3~Y~8_tmb.jpg){kind=small}
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IS25LP010E-JYLE-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON（2x3） | 描述:IC FLASH 1MBIT QSPI 65NM 8USON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:1.2ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25LP020E-JYLE-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON（2x3） | 描述:IC FLASH 2MBIT QSPI 65NM 8USON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:2Mb（256K x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:1.2ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q20CLSNIG TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:SPIFLASH, 2M-BIT, 4KB UNIFORM SE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:2Mb（256k x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |