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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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BR25H128NUX-5ACTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
4000
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Rohm Semiconductor | 8-UFDFN 裸露焊盘 | VSON008X2030 | 描述:IC EEPROM 128KBIT SPI 8VSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:128Kb（16K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MX25U1632FZUI02
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Macronix | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON（2x3） | 描述:IC FLASH 16MBIT SPI QUAD 8USON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:40µs，3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H128FVM-5ACTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Rohm Semiconductor | 8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） | 8-MSOP | 描述:128KBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:128Kb（16K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） 供应商器件封装:8-MSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H128FJ-5ACE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2500
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:128KBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:128Kb（16K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H256NUX-5ACTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-UFDFN 裸露焊盘 | VSON008X2030 | 描述:125 OPERATION IC BUS EEPROM FOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H256FVM-5ACTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） | 8-MSOP | 描述:125 OPERATION IC BUS EEPROM FOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） 供应商器件封装:8-MSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H256FJ-5ACE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:256KBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MX25V8035FM1Q03
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Macronix | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP | 描述:IC FLASH 8MBIT SPI QUAD 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:- 存储器接口:SPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:100µs，4ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR93H66RF-2LBH2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（4.40mm 宽） | 8-SOP | 描述:4KBIT, MICROWIRE BUS, SERIAL EEP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb（256 x 16） 存储器接口:Microwire，SPI 时钟频率:2 MHz 写周期时间 - 字，页:4ns 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24G1MFVT-5AE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP-B | 描述:IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP-B 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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47L64T-I/SN
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Microchip Technology | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:IC EERAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EERAM 技术:EEPROM，SRAM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:550 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR93A76RFJ-WME2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2500
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:8KBIT, MICROWIRE BUS, SERIAL EEP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:8Kb（512 x 16） 存储器接口:Microwire，SPI 时钟频率:2 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24CS512T-I/OT
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Microchip Technology | SC-74A，SOT-753 | SOT-23-5 | 描述:512K 3.4MHZ I2C SERIAL EEPROM *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:3.4 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24CS512T-I/Q4B
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Microchip Technology | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-UDFN（2x3） | 描述:512K 3.4MHZ I2C SERIAL EEPROM, I *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:3.4 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24CS512T-E/ST
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Microchip Technology | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP | 描述:512K 3.4MHZ I2C SERIAL EEPROM *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:3.4 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24CS512T-I/MS
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Microchip Technology | 8-TSSOP，8-MSOP（3.00MM 宽） | 8-MSOP | 描述:512K 3.4MHZ I2C SERIAL EEPROM *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:3.4 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（3.00MM 宽） 供应商器件封装:8-MSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24CS512T-E/Q4B
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Microchip Technology | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-UDFN（2x3） | 描述:512K 3.4MHZ I2C SERIAL EEPROM, E *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:3.4 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24FC512T-I/Q4B
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Microchip Technology | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-UDFN（2x3） | 描述:512K, 64K X 8, HI-SPEED SER EE, *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:900 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24FC512T-E/Q4B
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
5000
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Microchip Technology | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-UDFN（2x3） | 描述:512K, 64K X 8, HI-SPEED SER EE, *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:900 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG6NB12I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X16, INDUSTRIAL *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG6NB15I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X16, INDUSTRIAL *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU6NB15I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU6NB12I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU8NB15I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 667MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG8NB12I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X8, 800MHZ, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |