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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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BR24A02F-WLBH2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP | 描述:2KBIT, IC BUS, SERIAL EEPROM (10 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb（256 x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字，页:5ns 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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N25Q064A13ESF40F
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Alliance Memory, Inc. | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOP2 | 描述:64M 16PIN SOIC WIDE = SOP2-16 30 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（16M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24G64F-5E2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（4.40mm 宽） | 8-SOP | 描述:64KBIT, IC BUS, HIGH ENDURANCE, *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
%20Renders/706~8USON-,60-2x3~Y~8_tmb.jpg){kind=small}
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IS25LP040E-JYLE-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON（2x3） | 描述:4MB QSPI, 8-PIN USON 2X3MM, ROHS *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:1.2ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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N25Q064A13EF8A0F
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Alliance Memory, Inc. | 8-VDFN 裸露焊盘 | 8-VDFPN（MLP8）（8x6） | 描述:IC FLSH 64MBIT SPI 108MHZ 8VDFPN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（16M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-VDFPN（MLP8）（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M95M04-DRCS6TPVF
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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STMicroelectronics | 8-UFBGA，WLCSP | 8-WLCSP（2.81x1.86） | 描述:4-MBIT SERIAL SPI BUS EEPROM *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFBGA，WLCSP 供应商器件封装:8-WLCSP（2.81x1.86） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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NDS66PT5-16ET TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Insignis Technology Corporation | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP II | 描述:IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb（4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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EM6HF16EBXB-12SH
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Etron Technology, Inc. | - | - | 描述:8GB (512MX16) DDR3. 96-BALL WIND *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GD25Q80EEIGR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 8-XFDFN 裸露焊盘 | 8-USON（2x3） | 描述:8MBIT NOR FLASH /3.3V /USON8 3*2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:70µs，2ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT25QL128ABB1ESE-0AUT
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 8-SOIC（5.30MM 宽） | SOP8 208MIL | 描述:ICSRLFL 128M 3V 8SOIC AUTO UT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:1.8ms 访问时间:5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:SOP8 208MIL 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25LP040E-JNLE-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:4MB QSPI, 8-PIN SOP 150MIL, ROHS *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:1.2ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q16JVUXIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
4000
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Winbond Electronics | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON（2x3） | 描述:SPIFLASH, 3V, 16M-BIT, 4KB UNIFO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q16JLUXIG TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON（2x3） | 描述:SPIFLASH, 16M-BIT, 4KB UNIFORM S *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GD25Q32ESIGR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 8-SOIC（5.30MM 宽） | SOP8 208MIL | 描述:32MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:70µs，2.4ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:SOP8 208MIL 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H256F-5ACE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2500
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（4.40mm 宽） | 8-SOP | 描述:256KBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24CS512T-I/SN
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Microchip Technology | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:512K 3.4MHZ I2C SERIAL EEPROM *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:3.4 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24G1MFJ-5AE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:1MBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRITE *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GD25Q128ESIGR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 8-SOIC（5.30MM 宽） | SOP8 208MIL | 描述:128MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 20 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:70µs，2.4ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:SOP8 208MIL 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24CS512T-E/MS
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Microchip Technology | 8-TSSOP，8-MSOP（3.00MM 宽） | 8-MSOP | 描述:512K 3.4MHZ I2C SERIAL EEPROM *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:3.4 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（3.00MM 宽） 供应商器件封装:8-MSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24FC512T-I/OT
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
3000
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Microchip Technology | SC-74A，SOT-753 | SOT-23-5 | 描述:IC EEPROM SERIAL 512K SOT-23 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:900 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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24FC512T-E/OT
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Microchip Technology | SC-74A，SOT-753 | SOT-23-5 | 描述:IC EEPROM SERIAL 512K SOT-23 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:900 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S-93S66A0S-J8T2UD
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ABLIC Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:AUTOMOTIVE SERIAL EEPROMS *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb（256 x 16） 存储器接口:SPI 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:- *电压 - 电源:4V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H64FVT-5ACE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP-B | 描述:64KBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRITE *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP-B 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR25H640FJ-5ACE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H64F-5ACE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2500
|
Rohm Semiconductor | 8-SOIC（4.40mm 宽） | 8-SOP | 描述:64KBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRITE *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |