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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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BR93G46FVJ-3BGTE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-TSSOP，8-MSOP（3.00MM 宽） | 8-TSSOP-BJ | 描述:1KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（64 x 16） 存储器接口:SPI 时钟频率:3 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（3.00MM 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP-BJ 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GD25Q80ESIGR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 8-SOIC（5.30MM 宽） | SOP8 208MIL | 描述:8MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 208M *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:70µs，2ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:SOP8 208MIL 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H32NUX-5ACTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-UFDFN 裸露焊盘 | VSON008X2030 | 描述:32KBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRITE *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:32Kb（4K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR93A56RFJ-WME2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:AUTOMOTIVE MICROWIRE BUS 2KBIT ( *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb（128 x 16） 存储器接口:Microwire，SPI 时钟频率:2 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q80DLUXIE TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON（2x3） | 描述:SPIFLASH, 8M-BIT, 4KB UNIFORM SE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字，页:30µs，3ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR25H010FVM-2CTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） | 8-MSOP | 描述:IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8MSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（128 x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） 供应商器件封装:8-MSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H32FVT-5ACE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP-B | 描述:32KBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRITE *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:32Kb（4K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP-B 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H64NUX-5ACTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
4000
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Rohm Semiconductor | 8-UFDFN 裸露焊盘 | VSON008X2030 | 描述:32KBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRITE *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GD25Q16EWIGR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（5x6） | 描述:16MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 6* *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:70µs，2ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR25H128FJ-5ACE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:128KBIT, SPI BUS, HIGH SPEED WRI *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:128Kb（16K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M25P80-VMN3TPB
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Alliance Memory, Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SO | 描述:8MB 8PIN SOIC NARROW SOP2-8 150 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:75 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GD25LQ32ENIGR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 8-UDFN 裸露焊盘 | 8-USON（4x3） | 描述:32MBIT NOR FLASH /1.8V /USON8 3* *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:60µs，2.4ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON（4x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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N25Q032A13ESCA0F
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Alliance Memory, Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SO | 描述:IC FLASH 32MBIT SPI 108MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（8M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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EM6GA16LBXA-12H
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Etron Technology, Inc. | - | - | 描述:256M BIT RPC DRAM (FBGA 96 BALLS *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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N25Q064A13ESFA0F
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Alliance Memory, Inc. | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOP2 | 描述:IC FLSH 64MBIT SPI 108MHZ 16SOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（16M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GD25LQ128EWIGR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（5x6） | 描述:128MBIT NOR FLASH /1.8V /WSON8 6 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:120 MHz 写周期时间 - 字，页:60µs，2.4ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GD25Q256EYIGR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:50µs，2.4ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W958D8NBYA5I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:256MB HYPERRAM X8, 200MHZ, IND T *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT41K512M16HA-125:ATR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2000
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Alliance Memory, Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（9x14） | 描述:8G, DDR3L, 512M X 16, 1.35V, 96- *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:8Gb（512M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:13.75 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（9x14） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT29F16G08ABACAWP-AAT:C TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP I | 描述:IC FLASH 16GB PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:16Gb（2G x 8） 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:20ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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EM6HB16EWKA-12H
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Etron Technology, Inc. | 96-VFBGA | 96-FBGA（8x13） | 描述:512MB (32MX16) DDR3. 96-BALL FBG *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:512Mb（32M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（8x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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EM6HC16EWXC-12IH
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Etron Technology, Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（9x13） | 描述:1GB (64MX16) DDR3. 96-BALL WINDO *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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NDB16PFC-4DIT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Insignis Technology Corporation | 84-TFBGA | 84-FBGA（8x12.5） | 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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CY62128BNLL-55SXIT
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Cypress Semiconductor Corp | 32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） | 32-SOIC | 描述:SRAM CHIP ASYNC SINGLE 5V 1M-BIT *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步 *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 供应商器件封装:32-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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EM6OE08NW9A-07H
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Etron Technology, Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x10.6） | 描述:4GB (512MX8) DDR4. 78-BALL WINDO *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:POD 时钟频率:1.333 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:18 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x10.6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |