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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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BR93G66NUX-3BTTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
4000
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Rohm Semiconductor | 8-UFDFN 裸露焊盘 | VSON008X2030 | 描述:4KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb（256 x 16） 存储器接口:Microwire，SPI 时钟频率:3 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR93G66NUX-3ATTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
4000
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Rohm Semiconductor | 8-UFDFN 裸露焊盘 | VSON008X2030 | 描述:4KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb（256 x 16） 存储器接口:Microwire，SPI 时钟频率:3 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
_tmb.jpg){kind=small}
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BRCB016GWL-3UE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Rohm Semiconductor | 5-UFBGA，CSPBGA | 5-UCSP50L1（1.1x1.15） | 描述:16KBIT, IC, LOW CURRENT CONSUMPT *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-UFBGA，CSPBGA 供应商器件封装:5-UCSP50L1（1.1x1.15） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR93G66FVM-3BGTTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Rohm Semiconductor | 8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） | 8-MSOP | 描述:4KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb（256 x 16） 存储器接口:Microwire，SPI 时钟频率:3 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） 供应商器件封装:8-MSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR25G320FVM-3GTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Rohm Semiconductor | 8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） | 8-MSOP | 描述:32KBIT, SPI BUS, LOW POWER SERIA *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:32Kb（4K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） 供应商器件封装:8-MSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR93G66FVT-3BGE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Rohm Semiconductor | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP-B | 描述:4KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb（256 x 16） 存储器接口:Microwire，SPI 时钟频率:3 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP-B 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24G128FJ-5E2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:128KBIT, IC BUS, HIGH ENDURANCE, *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:128Kb（16K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR93G46FVT-3BGE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Rohm Semiconductor | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP-B | 描述:1KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（64 x 16） 存储器接口:SPI 时钟频率:3 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP-B 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BRCD064GWZ-3E2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Rohm Semiconductor | 6-XFBGA，CSPBGA | UCSP35L1 | 描述:64KBIT, IC BUS, LOW POWER SERIAL *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-XFBGA，CSPBGA 供应商器件封装:UCSP35L1 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24H32FVM-5ACTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） | 8-MSOP | 描述:32KBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRITE *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:32Kb（4K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） 供应商器件封装:8-MSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR93G46FVJ-3GTE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2500
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Rohm Semiconductor | 8-TSSOP，8-MSOP（3.00MM 宽） | 8-TSSOP-BJ | 描述:1KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（64 x 16） 存储器接口:SPI 时钟频率:3 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（3.00MM 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP-BJ 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR93G76FJ-3AGTE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2500
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:8KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:8Kb（512 x 16） 存储器接口:SPI 时钟频率:3 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR93G86FV-3BGTE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2500
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Rohm Semiconductor | 8-LSSOP（4.40MM 宽） | 8-SSOP-B | 描述:16KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb（1K x 16） 存储器接口:SPI 时钟频率:3 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-LSSOP（4.40MM 宽） 供应商器件封装:8-SSOP-B 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q16JWXHIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
4000
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Winbond Electronics | 8-XFDFN 裸露焊盘 | 8-XSON（2x3） | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 16M-BIT, 4KB UNI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-XSON（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR25H640FVM-5ACTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Rohm Semiconductor | 8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） | 8-MSOP | 描述:IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8MSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VSSOP，8-MSOP（2.80mm 宽） 供应商器件封装:8-MSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M25P10-AVMN6TP
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Alliance Memory, Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SO | 描述:1MB 8PIN SOIC NARROW SOP2-8 150 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:50 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24G512FVT-5AE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP-B | 描述:IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP-B 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR25H256FVT-5ACE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
3000
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Rohm Semiconductor | 8-TSSOP（4.40mm 宽） | 8-TSSOP-B | 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP-B 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR25H256FJ-5ACE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 20MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25WJ032F-JTLE-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
5000
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-UDFN 裸露焊盘 | 8-USON（4x3） | 描述:IC FLASH 32MBIT SPI QUAD 8USON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:1.6ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON（4x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M29W800FB70N3F
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）剪切带（CT）
1500
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Alliance Memory, Inc. | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:8MB 48 TSOP TR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - 引导块 *存储容量:8Mb（512K x 16，1M x 8） 存储器接口:CFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24G16FJ-3NE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2500
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Rohm Semiconductor | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP-J | 描述:16K BIT, IC BUS, LOW CURRENT CON *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP-J 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24G32NUX-5TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-UFDFN 裸露焊盘 | VSON008X2030 | 描述:32KBIT, IC BUS, HIGH ENDURANCE, *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:32Kb（4K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25LP010E-JNLE-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:1MB QSPI, 8-PIN SOP 150MIL, ROHS *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:1.2ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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BR24G64NUX-5TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Rohm Semiconductor | 8-UFDFN 裸露焊盘 | VSON008X2030 | 描述:64KBIT, IC BUS, HIGH ENDURANCE, *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |