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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt 70V27S25PFG
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Renesas Electronics America Inc 100-LQFP 100-TQFP(14x14) 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:512Kb(32K x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 70261L55PFG
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Renesas Electronics America Inc 100-LQFP 100-TQFP(14x14) 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:256Kb(16K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 70V9279L6PRFG
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Renesas Electronics America Inc 128-LQFP 128-TQFP(14x20) 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,标准 *存储容量:512Kb(32K x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:100 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:15 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:128-LQFP 供应商器件封装:128-TQFP(14x20) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
7007L35PFGI
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Renesas Electronics America Inc 80-LQFP 80-TQFP(14x14) 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:80-LQFP 供应商器件封装:80-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 7025S35JG
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Renesas Electronics America Inc 84-LCC(J 形引线) 84-PLCC(29.31x29.31) 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:128Kb(8K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-LCC(J 形引线) 供应商器件封装:84-PLCC(29.31x29.31) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 7006S35G/2703
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Renesas Electronics America Inc 68-BPGA 68-PGA(29.46x29.46) 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:128Kb(16K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:68-BPGA 供应商器件封装:68-PGA(29.46x29.46) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 70261S15PFG
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Renesas Electronics America Inc 100-LQFP 100-TQFP(14x14) 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:256Kb(16K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:15 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 70V9289L7PRFGI
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Renesas Electronics America Inc 128-LQFP 128-TQFP(14x20) 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,标准 *存储容量:1Mb(64K x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:45.45 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:18 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:128-LQFP 供应商器件封装:128-TQFP(14x20) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 709279L12PFG
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Renesas Electronics America Inc 100-LQFP 100-TQFP(14x14) 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,标准 *存储容量:512Kb(32K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:50 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:25 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 7025L35GI/2703
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Renesas Electronics America Inc 84-BPGA 84-PGA(27.94x27.94) 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:128Kb(8K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:84-BPGA 供应商器件封装:84-PGA(27.94x27.94) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
7007S15PFG
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Renesas Electronics America Inc 80-LQFP 80-TQFP(14x14) 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:15 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:80-LQFP 供应商器件封装:80-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS25LP512MG-JLLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:IC FLASH 512MBIT SPI QUAD 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:2ms 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS25LP512MG-RHLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 24-TBGA 24-TFBGA(6x8) 描述:IC FLSH 512MBIT SPI QUAD 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:2ms 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W948D2FKA-5G
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Winbond Electronics - - 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W947D2HKZ-6G
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Winbond Electronics - - 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W947D6HKB-5J
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Winbond Electronics - - 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W947D2HKZ-5J
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Winbond Electronics - - 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W988D6FBGX7I
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Winbond Electronics 54-TFBGA 54-VFBGA(8x9) 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPSDR *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:LVCMOS 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.4 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-VFBGA(8x9) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W948D6FKB-6G
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Winbond Electronics - - 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MT40A1G16KD-062E IT:E
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Micron Technology Inc. 96-TFBGA 96-FBGA(9x13) 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb(1G x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(9x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MT40A2G8JC-062E IT:E
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Micron Technology Inc. 78-TFBGA 78-FBGA(9x11) 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb(2G x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt SM662GEE BFSS
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Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:FERRI-EMMC BGA 100-B EMMC 5.0 ML *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:640Gb(80G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
EMMC32G-TX29-8AD01
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Kingston 153-WFBGA 153-WFBGA(11.5x13) 描述:EMMC 5.1 (HS400) 153B BICS4 HDR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:32Gb 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V,3.3V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-WFBGA 供应商器件封装:153-WFBGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
EMMC32G-TX29-8AD11
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Kingston 153-WFBGA 153-WFBGA(11.5x13) 描述:EMMC 5.1 (HS400) 153B 32GB BICS4 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:32Gb 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V,3.3V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-WFBGA 供应商器件封装:153-WFBGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR
带盒(TB)
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Micron Technology Inc. 200-TFBGA 200-TFBGA(10x14.5) 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:12Gb(384M x 32) 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-TFBGA 供应商器件封装:200-TFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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