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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt SM671PEB-AFSS
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA（11.5x13） 描述:FERRI-UFS 3D I 10GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:80Gb（10G x 8） 存储器接口:UFS2.1 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt SM662PBC-BDSS
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA（11.5x13） 描述:FERRI-EMMC 3D 20GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:160Gb（20G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt SM662PAC-BDSS
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA（11.5x13） 描述:FERRI-EMMC 3D 20GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:160Gb（20G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt SM662GXE-BDST
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Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA（14x18） 描述:FERRI-EMMC 3D C 256GB TLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:2Tb（256G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt SM671PAE-ADSS
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA（11.5x13） 描述:FERRI-UFS 3D 80GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:640Gb（80G x 8） 存储器接口:UFS2.1 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt SM662GBD-BDST
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Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA（14x18） 描述:FERRI-EMMC 3D 128GB TLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt SM662PAB-BDSS
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA（11.5x13） 描述:FERRI-EMMC 3D 10GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:80Gb（10G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt SM671PAA-AFSS
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA（11.5x13） 描述:FERRI-UFS 3D 5GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:40Gb（5G x 8） 存储器接口:UFS2.1 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt SM671PBB-ADSS
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA（11.5x13） 描述:FERRI-UFS 3D 10GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:80Gb（10G x 8） 存储器接口:UFS2.1 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt SM662PXB-BDSS
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA（11.5x13） 描述:FERRI-EMMC 3D C 10GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:80Gb（10G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt SM671PAC-AFST
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA（11.5x13） 描述:FERRI-UFS 3D 64GB TLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:512Gb（64G x 8） 存储器接口:UFS2.1 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MTFC8GAMALBH-IT
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Micron Technology Inc. - - 描述:IC MEM FLASH NAND 128GB *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
ASFC4G31M-51BIN
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Alliance Memory, Inc. 153-VFBGA 153-FBGA（11.5x13） 描述:NAND, 4G, BGA 153 (11.5 X 13MM) *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:32Gb（4G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-FBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt ASFC8G31M-51BIN
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Alliance Memory, Inc. 153-VFBGA 153-FBGA（11.5x13） 描述:NAND, 8G BGA 153 (11.5 X1 3MM) *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:64Gb（8G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-FBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MT40A256M16TB-062E:G
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Micron Technology Inc. 96-TFBGA 96-FBGA（7.5x13） 描述:MOD DRAM 4GBIT PARALLEL FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MT40A1G4SA-062E:G
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Micron Technology Inc. 78-TFBGA 78-FBGA（7.5x11） 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:4Gb（1G x 4） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MT40A512M8SA-062E:G
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Micron Technology Inc. 78-TFBGA 78-FBGA（7.5x11） 描述:MOD DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt R1EV5801MBTDRDI#B0
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Renesas Electronics America Inc 32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） 32-TSOP I 描述:IC EEPROM 1MB SMD *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:150 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt R1EV58256BSCNBI#B2
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Renesas Electronics America Inc 28-SOIC（0.330"，8.40mm 宽） 28-SOP 描述:IC EEPROM 256KB CMOS PRSP0028DC- *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:85 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC（0.330"，8.40mm 宽） 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt R1EV58064BTCRBI#B2
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Renesas Electronics America Inc 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 28-TSOP I 描述:IC EEPROM 64KB CMOS 28TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:100 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt R1EV58064BDARBI#B2
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Renesas Electronics America Inc 28-DIP（0.600"，15.24mm） 28-DIP 描述:IC EEPROM 64KB C-MOS 28DIP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:100 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:28-DIP（0.600"，15.24mm） 供应商器件封装:28-DIP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt R1EV58256BTDRBI#B2
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Renesas Electronics America Inc 32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） 32-TSOP I 描述:IC EEPROM 256KB CMOS PTSA0032KD- *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:85 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt R1EV58256BDANBI#B2
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Renesas Electronics America Inc 28-DIP（0.600"，15.24mm） 28-DIP 描述:IC EEPROM 256KB CMOS PRDP0028AB- *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:85 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:28-DIP（0.600"，15.24mm） 供应商器件封装:28-DIP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt R1EV58256BTCNBI#B2
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Renesas Electronics America Inc 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 28-TSOP I 描述:IC EEPROM 256KB CMOS PTSA0028ZB- *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:85 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt R1EV58064BDANBI#B2
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Renesas Electronics America Inc 28-DIP（0.600"，15.24mm） 28-DIP 描述:IC EEPROM 64KB C-MOS 28DIP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:100 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:28-DIP（0.600"，15.24mm） 供应商器件封装:28-DIP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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