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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
W25Q256JWCIM
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（6x8） 描述:SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25M02GWTBIT
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（8x6） 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W71NW20GF3FW
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Winbond Electronics - - 描述:2G-BIT 1.8V NAND + 1G-BIT LPDDR2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:FLASH，RAM 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2 *存储容量:2Gb（NAND），1Gb（LPDDR2） 存储器接口:- 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N02KVSIAE
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Winbond Electronics 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 48-TSOP 描述:2G-BIT NAND FLASH, 3V, 8-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N01HWSINA
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Winbond Electronics 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 48-TSOP 描述:1G-BIT NAND FLASH, 3V, 1-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JVZPIM
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（6x5） 描述:SPIFLASH, 32M-BIT, DTR, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q257JVEIQ
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（8x6） 描述:SPIFLASH, 3V, 256M-BIT, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N512GWBIR
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（6x8） 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JVTCIM
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（8x6） 描述:SPIFLASH, 32M-BIT, DTR, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（6x5） 描述:SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, 4KB UNI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W71NW20GD3GW
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Winbond Electronics - - 描述:2G-BIT 1.8V NAND + 1G-BIT LPDDR1 *存储器类型:非易失 *存储器格式:FLASH，RAM 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR *存储容量:2Gb（NAND），1Gb（LPDDR） 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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Winbond Electronics - - 描述:1G-BIT 1.8V NAND + 1G-BIT LPDDR2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:FLASH，RAM 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2 *存储容量:1Gb（NAND），1Gb（LPDDR2） 存储器接口:- 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（8x6） 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N02KZBIBF
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Winbond Electronics 63-VFBGA 63-VFBGA（9x11） 描述:2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q256JVMIM
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Winbond Electronics 8-WLGA 裸露焊盘 8-WFLGA（6x5） 描述:SPIFLASH, 3V, 256M-BIT, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WLGA 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WFLGA（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N512GVBIT
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（6x8） 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q16JVZPIM
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（6x5） 描述:SPIFLASH, 3V, 16M-BIT, 4KB UNIFO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N02KVDIAE
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Winbond Electronics 48-VFBGA 48-VFBGA（8x6.5） 描述:2G-BIT NAND FLASH, 3V, 8-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（8x6.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N01HWDINF
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Winbond Electronics 48-VFBGA 48-VFBGA（8x6.5） 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（8x6.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25M02GVZEIG
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（8x6） 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W71NW10GE3FW
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Winbond Electronics - - 描述:1G-BIT 1.8V NAND + 512MB LPDDR2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:FLASH，RAM 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2 *存储容量:1Gb（NAND），512Mb（LPDDR2） 存储器接口:- 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N512GWPIT
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（6x5） 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q64JVZPIM
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（6x5） 描述:SPIFLASH, 64M-BIT, DTR, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W956D8MBYA6I
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（6x8） 描述:64MB HYPERRAM X8, 166MHZ, IND TE *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:36ns 访问时间:36 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JVTBIM
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（8x6） 描述:SPIFLASH, 32M-BIT, DTR, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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