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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt 5962-9161706MXA
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10+: ￥6.3280 100+: ￥6.2150 1000+: ￥6.1585 3000+: ￥5.9890
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Renesas Electronics America Inc 84-BPGA 84-PGA（27.94x27.94） 描述:IC SRAM 128KBIT PARALLEL 84PGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，同步 *存储容量:128Kb（8K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:84-BPGA 供应商器件封装:84-PGA（27.94x27.94） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 5962-9161708MXA
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10+: ￥6.3280 100+: ￥6.2150 1000+: ￥6.1585 3000+: ￥5.9890
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Renesas Electronics America Inc 84-BPGA 84-PGA（27.94x27.94） 描述:IC SRAM 128KBIT PARALLEL 84PGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，同步 *存储容量:128Kb（8K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:84-BPGA 供应商器件封装:84-PGA（27.94x27.94） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MB85R8M1TABGL-G-JAE1
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10+: ￥151.6189 100+: ￥148.9114 1000+: ￥147.5577 3000+: ￥143.4964
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Kaga FEI America, Inc. - - 描述:8MBIT FRAM (1M X8) PARALLEL INTE *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:8Mb（512K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:120ns 访问时间:120 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MB85R8M2TABGL-G-JAE1
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10+: ￥151.6189 100+: ￥148.9114 1000+: ￥147.5577 3000+: ￥143.4964
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Kaga FEI America, Inc. - - 描述:8MBIT FRAM (512K X16) PARALLEL I *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:8Mb（512K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:150ns 访问时间:150 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MB85R8M1TAFN-G-JAE2
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10+: ￥158.2253 100+: ￥155.3999 1000+: ￥153.9871 3000+: ￥149.7490
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Kaga FEI America, Inc. 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP 描述:8MBIT FRAM (1M X8) PARALLEL INTE *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:120ns 访问时间:120 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MB85R8M2TAFN-G-JAE2
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10+: ￥158.2253 100+: ￥155.3999 1000+: ￥153.9871 3000+: ￥149.7490
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Kaga FEI America, Inc. 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP 描述:8MBIT FRAM (512K X16) PARALLEL I *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:120ns 访问时间:120 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
NSEC00K032-IT
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Insignis Technology Corporation 100-LBGA 100-BGA（14x18） 描述:IC FLASH 32GBIT EMMC 100BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt CG7480AT
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Cypress Semiconductor Corp 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP II 描述:SEMICONDUCTOR OTHER *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM *存储容量:8Mb（512K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W972GG8KB-18
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Winbond Electronics 84-TFBGA 84-WBGA（8x12.5） 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:350 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-WBGA（8x12.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W29N01HVBIAA
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Winbond Electronics - - 描述:IC FLASH 1GBIT NAND 63VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S98GL064NB0HI0080
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Cypress Semiconductor Corp - - 描述:IC FLASH MEMORY NOR *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS25LP016D-JMLE
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:800µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR16256A-093NBL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR16128BL-107MBLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR85120A-093NBLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（9x10.5） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（9x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR85120A-107MBL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（9x10.5） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（9x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16640BL-107MBLA2
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16640BL-125KBLA3
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16640BL-125KBLA1
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（8x10.5） 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR16256B-093NBLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR82560B-15HBLA2
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（8x10.5） 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16640C-125JBLA25
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 115°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16640CL-125JBLA2
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR85120AL-125KBLA2
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（9x10.5） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（9x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
  共有55516个记录    每页显示25条，本页53926-53950条    2158/2221页    首 页    上一页   2154  2155  2156  2157  2158  2159  2160  2161  2162   下一页    尾 页      
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