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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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MR4A16BUYS45
Datasheet 规格书
ROHS
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Everspin Technologies Inc. | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP2 | 描述:IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:16Mb（1M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR4A08BUYS45
Datasheet 规格书
ROHS
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Everspin Technologies Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT53E512M64D2HJ-046 WT:B
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Micron Technology Inc. | - | - | 描述:IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:- 存储器接口:并联 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PXD-BESS
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ROHS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D C 40GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:320Gb（40G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MTFC128GAZAQJP-IT
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Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 128GB EMMC 153VFPGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PED-BEST
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ROHS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D I 128GB TLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PED-BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D I 40GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:320Gb（40G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PAD-BEST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 128GB TLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PAD-BESS
Datasheet 规格书
ROHS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 40GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:320Gb（40G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GXD-BESS
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D C 40GB SLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:320Gb（40G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
%20Renders/706~153VFBGA-1-11,5x13~C~153_tmb.jpg){kind=small}
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IS21TF64G-JCLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 64GBIT 3.3V 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:512Gb（64G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GED-BEST
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ROHS
托盘
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D I 128GB TLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GED-BESS
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D I 40GB SLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:320Gb（40G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT40A2G16TBB-062E:F
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Micron Technology Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（7.5x13） | 描述:IC DDR4 32G 2GX16 FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:32Gb（2G x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:13.75 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GAD-BESS
Datasheet 规格书
ROHS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 40GB SLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:320Gb（40G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GAD-BEST
Datasheet 规格书
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 128GB TLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PBD-BESS
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 40GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:320Gb（40G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PBD-BEST
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 128GB TLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GBD-BESS
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 40GB SLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:320Gb（40G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GBD-BEST
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 128GB TLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MTFC128GASAQJP-AIT
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 1TB USSD *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR5A16AYS35
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Everspin Technologies Inc. | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP2 | 描述:IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:32Mb（2M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR5A16AMA35
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Everspin Technologies Inc. | 48-LFBGA | 48-FBGA（10x10） | 描述:IC RAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:32Mb（2M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（10x10） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT40A4G8NEA-062E:F
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x11） | 描述:IC DDR4 32G 4GX8 FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:32Gb（4G x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:13.75 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR5A16AUMA45
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Everspin Technologies Inc. | 48-LFBGA | 48-FBGA（10x10） | 描述:IC RAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:32Mb（2M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（10x10） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |