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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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SM662PBB-BESS
Datasheet 规格书
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 10GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:80Gb（10G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GEB-BEST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D I 32GB TLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:256Gb（32G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GEB-BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D I 10GB SLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:80Gb（10G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GAB-BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 10GB SLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:80Gb（10G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GAB-BEST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 32GB TLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:256Gb（32G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR1A16AVMA35
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Everspin Technologies Inc. | 48-LFBGA | 48-FBGA（8x8） | 描述:IC RAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:2Mb（128K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GBB-BEST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 32GB TLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:256Gb（32G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GBB-BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D 10GB SLC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:80Gb（10G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT40A1G16TB-062E IT:F
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Micron Technology Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（7.5x13） | 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb（1G x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT40A2G8SA-062E IT:F
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Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x11） | 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb（2G x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MTFC32GASAQHD-AIT
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Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 256GB EMMC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb（32G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M10082040054X0PWAY
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Renesas Electronics America Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（5x6） | 描述:IC RAM 8MBIT 54MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MTFC32GAZAQHD-AAT
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Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 256GB EMMC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb（32G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M30082040108X0PSAY
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Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 8MBIT 108MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR25H40VDF
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Everspin Technologies Inc. | 8-VDFN 裸露焊盘 | 8-DFN-EP，小标志（5x6） | 描述:IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:4Mb（512k x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:9 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN-EP，小标志（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT53E512M32D1NP-046 WT:B
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Micron Technology Inc. | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:IC MEMORY DRAM 16G 512MX32 FBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
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Micron Technology Inc. | 200-TFBGA | 200-TFBGA（10x14.5） | 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:- 存储器接口:并联 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-TFBGA 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
%20Renders/706~153VFBGA-1-11,5x13~C~153_tmb.jpg){kind=small}
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IS21TF16G-JCLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 16GBIT 3.3V 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:128Gb（16G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AF021GEC5A-2004CX
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ATP Electronics, Inc. | - | - | 描述:21GB E.MMC 153 BALLS BGA C-TEMP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AF064GEC5X-2004CX
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ATP Electronics, Inc. | - | - | 描述:64GB E.MMC 153 BALLS BGA C-TEMP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR3A16AMA35
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Everspin Technologies Inc. | 48-LFBGA | 48-FBGA（10x10） | 描述:IC RAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（512K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（10x10） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT53E1G32D2FW-046 WT:B
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Micron Technology Inc. | 200-TFBGA | 200-TFBGA（10x14.5） | 描述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:- 存储器接口:并联 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-TFBGA 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
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Micron Technology Inc. | 200-TFBGA | 200-TFBGA（10x14.5） | 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:- 存储器接口:并联 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-TFBGA 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PXC-BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMCC 3D C 20GB SLC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:160Gb（20G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MTFC64GAZAQHD-IT
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Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 64GBIT MMC 153TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:512Gb（64G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |