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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W66CP2NQUAHJ
Datasheet 规格书
ROHS
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 2133MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66CQ2NQUAHJ
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:4GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR10Q010VMB
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Everspin Technologies Inc. | 24-LBGA | 24-BGA（6x8） | 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:1Mb（128k x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-LBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66CL2NQUAFJ
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 1600MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66CM2NQUAFJ
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1600MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS6C1616B-55BIN
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Alliance Memory, Inc. | 48-LFBGA | 48-TFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Mb（1M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66CL2NQUAGJ
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 1866MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS46TR16128D-125KBLA1
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 96-TFBGA | 96-TWBGA（9x13） | 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66CM2NQUAGJ
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1866MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66CL2NQUAHJ
Datasheet 规格书
ROHS
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 2133MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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7GA830178
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Cypress Semiconductor Corp | - | - | 描述:IC MCU 32BIT 144LQFP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M30042040054X0IWAY
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Renesas Electronics America Inc | 8-VDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（5x6） | 描述:IC RAM 4MBIT SPI 54MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:4Mb（1M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS6C1608B-45BIN
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Alliance Memory, Inc. | 48-LFBGA | 48-TFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25WX512M-JHLA3-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC FLSH 512MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25WX512M-JHLA3
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC FLSH 512MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q01JVTBIM
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:SPIFLASH, 1G-BIT, 4KB UNIFORM SE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:7.5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66CM2NQUAHJ
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ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:4GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M10042040108X0IWAY
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ROHS
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Renesas Electronics America Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（5x6） | 描述:IC RAM 4MBIT 108MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:4Mb（1M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q01NWZEIM
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ROHS
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:SPIFLASH, 1G-BIT, 1.8V, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q01NWZEIQ
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:SPIFLASH, 1G-BIT, 1.8V, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q01NWTBIQ
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:SPIFLASH, 1G-BIT, 1.8V, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q01NWTBIM
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:SPIFLASH, 1G-BIT, 1.8V, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS46TR16128D-125KBLA2
Datasheet 规格书
ROHS
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 96-TFBGA | 96-TWBGA（9x13） | 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S29PL127J60BFA040
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Cypress Semiconductor Corp | 80-VFBGA | 80-FBGA（8x11） | 描述:IC FLASH 128MBIT CFI 80FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128M（8M x 16） 存储器接口:CFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:60 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:80-VFBGA 供应商器件封装:80-FBGA（8x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS6C1608B-45TIN
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 16MBIT PARALLEL 44TSOPII *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |