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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W66BL6NBUAHJ
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:2GB LPDDR4, X16, 2133MHZ, -40C~1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W634GU8QB-09
Datasheet 规格书
ROHS
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.06 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66BM6NBUAHJ
Datasheet 规格书
ROHS
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W634GU6QB-09
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 1066 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.06 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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NDL28PFR-9MET
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Insignis Technology Corporation | 78-VFBGA | 78-FBGA（7.5x10.5） | 描述:DDR3L 2GB X8 FBGA 7.5X10.5(X1.0) *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR10Q010CMB
Datasheet 规格书
ROHS
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Everspin Technologies Inc. | 24-LBGA | 24-BGA（6x8） | 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:1Mb（128k x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-LBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR10Q010CSC
Datasheet 规格书
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Everspin Technologies Inc. | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:1Mb（128k x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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NDL28PFR-9MIT
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Insignis Technology Corporation | 78-VFBGA | 78-FBGA（7.5x10.5） | 描述:DDR3L 2GB X8 FBGA 7.5X10.5(X1.0) *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR25H256APDF
Datasheet 规格书
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Everspin Technologies Inc. | 8-VDFN 裸露焊盘 | 8-DFN-EP，小标志（5x6） | 描述:IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:9 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN-EP，小标志（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W634GU8QB09I
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.06 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W634GU8QB11I
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N04KVTCIU
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N04KVTBIR
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N04KVTBIU
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N04KVTCIR
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N04KVZEIU
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25N04KVZEIR
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25LX512M-JHLE
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC FLSH 512MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR10Q010VSC
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Everspin Technologies Inc. | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:1Mb（128k x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66CP2NQUAGJ
Datasheet 规格书
ROHS
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 1866MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W634GU6QB09I
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 1066 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.06 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W634GU6QB11I
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 933M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66CQ2NQUAGJ
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1866MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25WX512M-JHE-TR
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC FLSH 512MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25WX512M-JHLE
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC FLSH 512MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |