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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W66BQ6NBUAFJ
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W29N02KZDIBF
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Winbond Electronics | 48-VFBGA | 48-VFBGA（8x6.5） | 描述:2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（8x6.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W29N02KWDIBF
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Winbond Electronics | 48-VFBGA | 48-VFBGA（8x6.5） | 描述:2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（8x6.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W29N02KWBIBF
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Winbond Electronics | 63-VFBGA | 63-VFBGA（9x11） | 描述:2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97BH6MBVA2I
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:2GB LPDDR2, X16, 400MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97BH2MBVA2I
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:2GB LPDDR2, X32, 400MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb（64M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97BH6MBVA2E
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:2GB LPDDR2, X16, 400MHZ, -25 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97BH2MBVA2E
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:2GB LPDDR2, X32, 400MHZ, -25 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb（64M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66BP6NBUAGJ
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:2GB LPDDR4, X16, 1866MHZ, -40C~1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66BQ6NBUAGJ
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:2GB LPDDR4X, X16, 1866MHZ, -40C~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66BL6NBUAFJ
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ROHS
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:2GB LPDDR4, X16, 1600MHZ, -40C~1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97BH6MBVA1I
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ROHS
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:2GB LPDDR2, X16, 533MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97BH6MBVA1E
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:2GB LPDDR2, X16, 533MHZ, -25 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97BH2MBVA1I
Datasheet 规格书
ROHS
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:2GB LPDDR2, X32, 533MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb（64M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W97BH2MBVA1E
Datasheet 规格书
ROHS
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA（10x11.5） | 描述:2GB LPDDR2, X32, 533MHZ, -25 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb（64M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W958D6DBCX7I
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Winbond Electronics | 54-VFBGA | 54-VFBGA（6x8） | 描述:256MB PSRAM X16, ADM, 133MHZ, IN *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:256Mb（16M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:70 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-VFBGA 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66BP6NBUAHJ
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ROHS
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:2GB LPDDR4, X16, 2133MHZ, -40C~1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66BM6NBUAFJ
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66BQ6NBUAHJ
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ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66BL6NBUAGJ
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ROHS
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:2GB LPDDR4, X16, 1866MHZ, -40C~1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W634GU8QB-11
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W66BM6NBUAGJ
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:2GB LPDDR4X, X16, 1866MHZ, -40C~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR10Q010MB
Datasheet 规格书
ROHS
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Everspin Technologies Inc. | 24-LBGA | 24-BGA（6x8） | 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:1Mb（128k x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-LBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR10Q010SC
Datasheet 规格书
ROHS
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Everspin Technologies Inc. | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:1Mb（128k x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W634GU6QB-11
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 933M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |