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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
W971GG8NB-25
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10+: 33.8801 100+: 33.2751 1000+: 32.9726 3000+: 32.0651
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Winbond Electronics 60-VFBGA 60-VFBGA(8x9.5) 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SSTL_18 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:400 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-VFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W971GG8NB-18
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10+: 33.8801 100+: 33.2751 1000+: 32.9726 3000+: 32.0651
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Winbond Electronics 60-VFBGA 60-VFBGA(8x9.5) 描述:1GB, DDR2-1066, X8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SSTL_18 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:350 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-VFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N01JWTBIT
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10+: 34.2978 100+: 33.6853 1000+: 33.3791 3000+: 32.4604
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA(8x6) 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N01JWTBIG
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10+: 34.2978 100+: 33.6853 1000+: 33.3791 3000+: 32.4604
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA(8x6) 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N01HZDINA
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10+: 34.6901 100+: 34.0706 1000+: 33.7609 3000+: 32.8317
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Winbond Electronics 48-VFBGA 48-VFBGA(8x6.5) 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 1-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(8x6.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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10+: 34.6901 100+: 34.0706 1000+: 33.7609 3000+: 32.8317
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Winbond Electronics 48-VFBGA 48-VFBGA(8x6.5) 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(8x6.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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10+: 34.8167 100+: 34.1949 1000+: 33.8841 3000+: 32.9515
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Winbond Electronics 63-VFBGA 63-VFBGA(9x11) 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 4-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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10+: 34.8167 100+: 34.1949 1000+: 33.8841 3000+: 32.9515
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Winbond Electronics 63-VFBGA 63-VFBGA(9x11) 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 1-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N01HZBINA
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10+: 34.8167 100+: 34.1949 1000+: 33.8841 3000+: 32.9515
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Winbond Electronics 63-VFBGA 63-VFBGA(9x11) 描述:1G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 1-BIT E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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Winbond Electronics 54-TFBGA 54-VFBGA(8x9) 描述:512MB LPSDR, X16, 166MHZ, 46NM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPSDR *存储容量:512Mb(32M x 16) 存储器接口:LVCMOS 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-VFBGA(8x9) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 24-TBGA 24-TFBGA(6x8) 描述:IC FLSH 128MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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10+: 36.3354 100+: 35.6865 1000+: 35.3621 3000+: 34.3888
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:IC SDRAM 1GB X8 800MHZ 78WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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托盘
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:IC SDRAM 1GB X8 667MHZ 78WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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Winbond Electronics 54-TFBGA 54-TFBGA(8x8) 描述:128MB DDR SDRAM X16, 200MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb(8M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:700 ps *电压 - 电源:2.7V ~ 2.3V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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Winbond Electronics 54-TFBGA 54-TFBGA(8x8) 描述:128MB DDR SDRAM X16, 200MHZ, IND *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb(8M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:700 ps *电压 - 电源:2.7V ~ 2.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:1GB SERIAL NAND FLASH 3V + 16MB *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND,FLASH - NOR *存储容量:16Mb(FLASH-NOR),1Gb(FLASH-NAND)(2M x 8(FLASH-NOR),128M x 8(FLASH-NAND)) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:RPMC SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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10+: 38.0946 100+: 37.4143 1000+: 37.0742 3000+: 36.0538
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:IC SDRAM 1GB X8 933MHZ 78WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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托盘
10+: 38.2338 100+: 37.5510 1000+: 37.2097 3000+: 36.1855
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Winbond Electronics 96-VFBGA 96-VFBGA(7.5x13) 描述:IC SDRAM 1GB X16 933MHZ 96WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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托盘
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 24-TBGA 24-TFBGA(6x8) 描述:IC FLSH 128MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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10+: 38.7906 100+: 38.0980 1000+: 37.7516 3000+: 36.7126
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x5) 描述:SECURITY AUTHENTICATION SPIFLASH *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:SECURITY AUTHENTICATION SPIFLASH *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W631GG8NB-09
托盘
10+: 39.8537 100+: 39.1421 1000+: 38.7862 3000+: 37.7187
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:IC SDRAM 1GB X8 1066MHZ 78WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS25WX128-JHLA3
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10+: 39.9930 100+: 39.2788 1000+: 38.9217 3000+: 37.8505
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 24-TBGA 24-TFBGA(6x8) 描述:IC FLSH 128MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25M321AVEIT
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10+: 41.0181 100+: 40.2856 1000+: 39.9194 3000+: 38.8207
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:1GB SERIAL NAND FLASH 3V + 32MB *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND,FLASH - NOR *存储容量:32Mb(FLASH-NOR),1Gb(FLASH-NAND)(4M x 8(FLASH-NOR),128M x 8(FLASH-NAND)) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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