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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
SM662PAF BFSS
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10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA(11.5x13) 描述:IC FLASH EMMC 160GBIT 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662GEF BFST
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10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:IC FLASH EMMC 512GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662GEF BFSS
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10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:IC FLASH EMMC 160GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662GAF BFSS
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10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:IC FLASH EMMC 160GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662GAF BFST
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10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:IC FLASH EMMC 512GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662PBF BFSS
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10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA(11.5x13) 描述:IC FLASH EMMC 160GBIT 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662PBF BFST
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10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Silicon Motion, Inc. 153-TFBGA 153-BGA(11.5x13) 描述:IC FLASH EMMC 512GBIT 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662GBF BFST
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10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:IC FLASH EMMC 512GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662GBF BFSS
托盘
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:IC FLASH EMMC 160GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W74M00AVSNIG
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10+: 7.6822 100+: 7.5450 1000+: 7.4764 3000+: 7.2706
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Winbond Electronics 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:SECURITY AUTHENTICATOR W/MONOTON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W74M00AVSSIG
托盘
10+: 7.7961 100+: 7.6569 1000+: 7.5873 3000+: 7.3784
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Winbond Electronics 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:SECURITY AUTHENTICATOR W/MONOTON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q64JVTBIQ
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10+: 12.7572 100+: 12.5294 1000+: 12.4155 3000+: 12.0738
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA(8x6) 描述:SPIFLASH, 64M-BIT, 4KB UNIFORM S *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W9816G6JH-7I
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10+: 14.5291 100+: 14.2696 1000+: 14.1399 3000+: 13.7507
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Winbond Electronics 50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 50-TSOP II 描述:16MB, SDR SDRAM, 133MHZ, IND TEM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:143 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:50-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W9816G6JH-7
托盘
10+: 14.5291 100+: 14.2696 1000+: 14.1399 3000+: 13.7507
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Winbond Electronics 50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 50-TSOP II 描述:16MB, SDR SDRAM, 133MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:143 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:50-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MX25U12832FZNJ02
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10+: 16.8198 100+: 16.5195 1000+: 16.3693 3000+: 15.9188
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Macronix 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x5) 描述:IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:120 MHz 写周期时间 - 字,页:40µs,3ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.65V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S25FL064LABMFI000
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10+: 19.2118 100+: 18.8687 1000+: 18.6972 3000+: 18.1826
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Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 64BIT SPI 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MX25UW6345GBEI00
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10+: 19.5282 100+: 19.1795 1000+: 19.0051 3000+: 18.4821
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Macronix - - 描述:IC FLASH SPI/QUAD 29WLCSP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W948V6KBHX5E
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10+: 20.9710 100+: 20.5965 1000+: 20.4093 3000+: 19.8475
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Winbond Electronics 60-TFBGA 60-VFBGA(8x9) 描述:256MB LPDDR, X16, 200MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:LVCMOS 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N512GVPIG
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10+: 20.3762 100+: 20.0123 1000+: 19.8304 3000+: 19.2846
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x5) 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N512GVPIR
托盘
10+: 20.3762 100+: 20.0123 1000+: 19.8304 3000+: 19.2846
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x5) 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N512GVPIT
托盘
10+: 20.3762 100+: 20.0123 1000+: 19.8304 3000+: 19.2846
我要买
Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x5) 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W948V6KBHX5I
托盘
10+: 21.3380 100+: 20.9570 1000+: 20.7665 3000+: 20.1949
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Winbond Electronics 60-TFBGA 60-VFBGA(8x9) 描述:256MB LPDDR, X16, 200MHZ, INDUST *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:LVCMOS 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W9816G6JB-7I
托盘
10+: 22.4264 100+: 22.0260 1000+: 21.8257 3000+: 21.2250
我要买
Winbond Electronics 60-TFBGA 60-VFBGA(6.4x10.1) 描述:16MB, SDR SDRAM, 143MHZ, IND TEM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:143 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(6.4x10.1) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W9816G6JB-5
托盘
10+: 22.4264 100+: 22.0260 1000+: 21.8257 3000+: 21.2250
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Winbond Electronics 60-TFBGA 60-VFBGA(6.4x10.1) 描述:16MB, SDR SDRAM, 200MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:4.5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(6.4x10.1) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N512GVEIT
托盘
10+: 22.3885 100+: 21.9887 1000+: 21.7888 3000+: 21.1891
我要买
Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
  共有55516个记录    每页显示25条,本页53601-53625条    2145/2221页    首 页    上一页   2141  2142  2143  2144  2145  2146  2147  2148  2149   下一页    尾 页      
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