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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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SM662PAF BFSS
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Silicon Motion, Inc. | 153-TFBGA | 153-BGA(11.5x13) | 描述:IC FLASH EMMC 160GBIT 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662GEF BFST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:IC FLASH EMMC 512GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662GEF BFSS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:IC FLASH EMMC 160GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662GAF BFSS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:IC FLASH EMMC 160GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662GAF BFST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:IC FLASH EMMC 512GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662PBF BFSS
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Silicon Motion, Inc. | 153-TFBGA | 153-BGA(11.5x13) | 描述:IC FLASH EMMC 160GBIT 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662PBF BFST
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Silicon Motion, Inc. | 153-TFBGA | 153-BGA(11.5x13) | 描述:IC FLASH EMMC 512GBIT 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662GBF BFST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:IC FLASH EMMC 512GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662GBF BFSS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:IC FLASH EMMC 160GBIT 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC),FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W74M00AVSNIG
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Winbond Electronics | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC | 描述:SECURITY AUTHENTICATOR W/MONOTON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W74M00AVSSIG
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Winbond Electronics | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:SECURITY AUTHENTICATOR W/MONOTON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q64JVTBIQ
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA(8x6) | 描述:SPIFLASH, 64M-BIT, 4KB UNIFORM S *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9816G6JH-7I
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Winbond Electronics | 50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 50-TSOP II | 描述:16MB, SDR SDRAM, 133MHZ, IND TEM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:143 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:50-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9816G6JH-7
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Winbond Electronics | 50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 50-TSOP II | 描述:16MB, SDR SDRAM, 133MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:143 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:50-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MX25U12832FZNJ02
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Macronix | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:120 MHz 写周期时间 - 字,页:40µs,3ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.65V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25FL064LABMFI000
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 64BIT SPI 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MX25UW6345GBEI00
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Macronix | - | - | 描述:IC FLASH SPI/QUAD 29WLCSP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W948V6KBHX5E
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Winbond Electronics | 60-TFBGA | 60-VFBGA(8x9) | 描述:256MB LPDDR, X16, 200MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:LVCMOS 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GVPIG
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GVPIR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GVPIT
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W948V6KBHX5I
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Winbond Electronics | 60-TFBGA | 60-VFBGA(8x9) | 描述:256MB LPDDR, X16, 200MHZ, INDUST *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:LVCMOS 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(8x9) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9816G6JB-7I
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Winbond Electronics | 60-TFBGA | 60-VFBGA(6.4x10.1) | 描述:16MB, SDR SDRAM, 143MHZ, IND TEM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:143 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(6.4x10.1) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9816G6JB-5
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Winbond Electronics | 60-TFBGA | 60-VFBGA(6.4x10.1) | 描述:16MB, SDR SDRAM, 200MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:4.5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA(6.4x10.1) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N512GVEIT
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |