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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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FEMC008GBG-T340
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Flexxon Pte Ltd | 153-VFBGA | 153-FBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 64GBIT EMMC 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:64Gb（8G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-FBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
%20Renders/706~100LFBGA-1,4-14x18~Q~100_tmb.jpg){kind=small}
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IS21TF08G-JQLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 100-LBGA | 100-LFBGA（14x18） | 描述:IC FLASH 8GBIT 3.3V 100FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:64Gb（8G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LFBGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS43LQ16256A-062TBLI
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136
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 200-TFBGA | 200-TFBGA（10x14.5） | 描述:IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:LVSTL 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-TFBGA 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS43LQ32128A-062TBLI
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ROHS
托盘
136
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 200-TFBGA | 200-TFBGA（10x14.5） | 描述:IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-TFBGA 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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FEMC002GTTG7-T24-17
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Flexxon Pte Ltd | 153-VFBGA | 153-FBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 16GBIT EMMC 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（pSLC） *存储容量:16Gb（2G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-FBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S80KS5123GABHI020
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338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:512 MB HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S80KS5122GABHI020
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ROHS
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AF010GEC5A-2004IX
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ATP Electronics, Inc. | - | - | 描述:10GB E.MMC 153 BALLS I-TEMP BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AF032GEC5X-2004IX
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ATP Electronics, Inc. | - | - | 描述:32GB E.MMC 153 BALLS I-TEMP BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S28HL01GTFPBHI030
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:SEMPER FLASH WITH QUAD SPI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S80KS5122GABHV020
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S80KS5123GABHV020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S26HS01GTGABHI030
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ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:NOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S28HS01GTGZBHI030
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520
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Cypress Semiconductor Corp | - | - | 描述:NOR *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S80KS5122GABHA020
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S80KS5123GABHA020
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ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SFEM032GB1ED1TO-I-5E-111-STD
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1
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Swissbit | 153-TFBGA | 153-BGA（11.5x13） | 描述:INDUSTRIAL EMBEDDED MMC, EM-30, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb（32G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PXC BFST
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ROHS
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Silicon Motion, Inc. | 153-TFBGA | 153-BGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 512GBIT EMMC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:512Gb（64G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PXC BFSS
Datasheet 规格书
ROHS
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Silicon Motion, Inc. | 153-TFBGA | 153-BGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 160GBIT EMMC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:160Gb（20G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S80KS5123GABHB020
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ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S80KS5122GABHB020
Datasheet 规格书
ROHS
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GXC BFST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:IC FLASH 512GBIT EMMC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:512Gb（64G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662GXC BFSS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:IC FLASH 160GBIT EMMC 100BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:160Gb（20G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PEC BFST
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Silicon Motion, Inc. | 153-TFBGA | 153-BGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 512GBIT EMMC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:512Gb（64G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SM662PEC BFSS
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Silicon Motion, Inc. | 153-TFBGA | 153-BGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 160GBIT EMMC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC） *存储容量:160Gb（20G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |