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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S80KS2562GABHV020
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA(6x8) | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S80KS2563GABHV020
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA(6x8) | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
M3004316035NX0IBCY
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Renesas Electronics America Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA(10x10) | 描述:4MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35N *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:4Mb(256K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(10x10) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S80KS2563GABHA020
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA(6x8) | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S80KS2562GABHA020
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA(6x8) | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S80KS2562GABHB020
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA(6x8) | 描述:256 MB HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S80KS2563GABHB020
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA(6x8) | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S80KS2564GACHI040
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260
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Cypress Semiconductor Corp | 49-VBGA | 49-FBGA(8x8) | 描述:256MBIT 1.7 V INDUSTRIAL (85C) H *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:49-VBGA 供应商器件封装:49-FBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS43LQ16128A-062TBLI
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136
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 200-TFBGA | 200-TFBGA(10x14.5) | 描述:IC DRAM 2GBIT LVSTL 200TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-TFBGA 供应商器件封装:200-TFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S80KS2562GABHM020
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA(6x8) | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S80KS2563GABHM020
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA(6x8) | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HS01GTDPBHI030
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:SEMPER FLASH WITH QUAD SPI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662PXB BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 10GB BICS4 3D TLC (15 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662PXB BEST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 32GB BICS4 3D TLC (15 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662PEB BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 10GB BICS4 3D TLC + E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662PEB BEST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 32GB BICS4 3D TLC + E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662GXB BEST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 32GB BICS4 3D TLC (10 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662GXB BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 10GB BICS4 3D TLC (10 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS21ES08GA-JCLI
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152
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 153-VFBGA | 153-VFBGA(11.5x13) | 描述:IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(MLC) *存储容量:64Gb(8G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS21ES08GA-JQLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 100-LBGA | 100-LFBGA(14x18) | 描述:IC FLASH 64GBIT EMMC 100LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(MLC) *存储容量:64Gb(8G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LFBGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HS01GTFABHI030
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:NOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HL01GTFABHI030
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:NOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662GEB BEST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 32GB BICS4 3D TLC + E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HS01GTFAMHI010
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240
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:NOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
FEMC004GTTG7-T24-16
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1
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Flexxon Pte Ltd | 153-VFBGA | 153-FBGA(11.5x13) | 描述:IC FLASH 32GBIT EMMC 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(MLC) *存储容量:32Gb(4G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-FBGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |