辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

当前位置 :首页 >集成电路(IC) > 存储器
制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
共 55516 款产品满足条件
  共有55516个记录    每页显示25条,本页53451-53475条    2139/2221页    首 页    上一页   2135  2136  2137  2138  2139  2140  2141  2142  2143   下一页    尾 页      
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt S80KS2562GABHV020
托盘
10+: 131.0782 100+: 128.7375 1000+: 127.5672 3000+: 124.0561
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-VBGA 24-FBGA(6x8) 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S80KS2563GABHV020
托盘
10+: 131.0782 100+: 128.7375 1000+: 127.5672 3000+: 124.0561
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-VBGA 24-FBGA(6x8) 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt M3004316035NX0IBCY
托盘
10+: 133.4449 100+: 131.0619 1000+: 129.8704 3000+: 126.2960
我要买
Renesas Electronics America Inc 48-LFBGA 48-FBGA(10x10) 描述:4MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35N *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:4Mb(256K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(10x10) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S80KS2563GABHA020
托盘
10+: 139.6210 100+: 137.1278 1000+: 135.8811 3000+: 132.1413
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-VBGA 24-FBGA(6x8) 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S80KS2562GABHA020
托盘
10+: 139.6210 100+: 137.1278 1000+: 135.8811 3000+: 132.1413
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-VBGA 24-FBGA(6x8) 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S80KS2562GABHB020
托盘
10+: 148.6827 100+: 146.0276 1000+: 144.7001 3000+: 140.7175
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-VBGA 24-FBGA(6x8) 描述:256 MB HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S80KS2563GABHB020
托盘
10+: 148.6827 100+: 146.0276 1000+: 144.7001 3000+: 140.7175
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-VBGA 24-FBGA(6x8) 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S80KS2564GACHI040
托盘
260
10+: 149.6825 100+: 147.0096 1000+: 145.6732 3000+: 141.6638
我要买
Cypress Semiconductor Corp 49-VBGA 49-FBGA(8x8) 描述:256MBIT 1.7 V INDUSTRIAL (85C) H *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:49-VBGA 供应商器件封装:49-FBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS43LQ16128A-062TBLI
托盘
136
10+: 150.2900 100+: 147.6063 1000+: 146.2644 3000+: 142.2388
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 200-TFBGA 200-TFBGA(10x14.5) 描述:IC DRAM 2GBIT LVSTL 200TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-TFBGA 供应商器件封装:200-TFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S80KS2562GABHM020
托盘
10+: 158.3392 100+: 155.5117 1000+: 154.0980 3000+: 149.8568
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-VBGA 24-FBGA(6x8) 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S80KS2563GABHM020
托盘
10+: 158.3392 100+: 155.5117 1000+: 154.0980 3000+: 149.8568
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-VBGA 24-FBGA(6x8) 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S25HS01GTDPBHI030
托盘
10+: 157.8456 100+: 155.0270 1000+: 153.6176 3000+: 149.3896
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:SEMPER FLASH WITH QUAD SPI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662PXB BESS
托盘
10+: 158.3266 100+: 155.4993 1000+: 154.0857 3000+: 149.8448
我要买
Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:FERRI EMMC 10GB BICS4 3D TLC (15 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662PXB BEST
托盘
10+: 158.3266 100+: 155.4993 1000+: 154.0857 3000+: 149.8448
我要买
Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:FERRI EMMC 32GB BICS4 3D TLC (15 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662PEB BESS
托盘
10+: 163.0852 100+: 160.1730 1000+: 158.7169 3000+: 154.3485
我要买
Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:FERRI EMMC 10GB BICS4 3D TLC + E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662PEB BEST
托盘
10+: 163.0852 100+: 160.1730 1000+: 158.7169 3000+: 154.3485
我要买
Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:FERRI EMMC 32GB BICS4 3D TLC + E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662GXB BEST
托盘
10+: 169.7043 100+: 166.6739 1000+: 165.1587 3000+: 160.6130
我要买
Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:FERRI EMMC 32GB BICS4 3D TLC (10 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662GXB BESS
托盘
10+: 169.7043 100+: 166.6739 1000+: 165.1587 3000+: 160.6130
我要买
Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:FERRI EMMC 10GB BICS4 3D TLC (10 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS21ES08GA-JCLI
托盘
152
10+: 169.7929 100+: 166.7609 1000+: 165.2449 3000+: 160.6968
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 153-VFBGA 153-VFBGA(11.5x13) 描述:IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(MLC) *存储容量:64Gb(8G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS21ES08GA-JQLI
托盘
10+: 171.8432 100+: 168.7745 1000+: 167.2402 3000+: 162.6373
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 100-LBGA 100-LFBGA(14x18) 描述:IC FLASH 64GBIT EMMC 100LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(MLC) *存储容量:64Gb(8G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LFBGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S25HS01GTFABHI030
托盘
10+: 172.1343 100+: 169.0604 1000+: 167.5235 3000+: 162.9128
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:NOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S25HL01GTFABHI030
托盘
10+: 172.1343 100+: 169.0604 1000+: 167.5235 3000+: 162.9128
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:NOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
SM662GEB BEST
托盘
10+: 173.4884 100+: 170.3904 1000+: 168.8414 3000+: 164.1944
我要买
Silicon Motion, Inc. 100-LBGA 100-BGA(14x18) 描述:FERRI EMMC 32GB BICS4 3D TLC + E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S25HS01GTFAMHI010
托盘
240
10+: 181.7528 100+: 178.5072 1000+: 176.8844 3000+: 172.0161
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:NOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
FEMC004GTTG7-T24-16
托盘
1
10+: 186.1191 100+: 182.7956 1000+: 181.1338 3000+: 176.1485
我要买
Flexxon Pte Ltd 153-VFBGA 153-FBGA(11.5x13) 描述:IC FLASH 32GBIT EMMC 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(MLC) *存储容量:32Gb(4G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-FBGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
  共有55516个记录    每页显示25条,本页53451-53475条    2139/2221页    首 页    上一页   2135  2136  2137  2138  2139  2140  2141  2142  2143   下一页    尾 页      
复制成功

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922