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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W631GU6NB15I
Datasheet 规格书
ROHS
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198
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU8NB15I
Datasheet 规格书
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242
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 667MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS66WVO16M8DALL-200BLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC PSRAM 128MBIT SPI OCT 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:40ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS66WVO16M8DBLL-133BLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC PSRAM 128MBIT SPI OCT 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:37.5ns 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT29F4G01ABBFDWB-IT:F
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Micron Technology Inc. | 8-UDFN | 8-UPDFN（8x6）（MLP8） | 描述:SLC 4GBIT SPI 1.8V 8UPDFN IT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb（4G x 1） 存储器接口:SPI 时钟频率:83 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UDFN 供应商器件封装:8-UPDFN（8x6）（MLP8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG6NB11I
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X16, INDUSTRIAL *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU8NB11I
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242
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG6NB09I
Datasheet 规格书
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198
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X16, INDUSTRIAL *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GG8NB09I
Datasheet 规格书
ROHS
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242
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X8, 1066MHZ, IND *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU8NB09I
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
242
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA（8x10.5） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W631GU6NB09I
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
198
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA（7.5x13） | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W959D8NFYA4I
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA, DDP (6x8) | 描述:512MB HYPERRAM X8, 200MHZ, IND T *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:250 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:28 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA, DDP (6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT53E128M16D1FW-046 AIT:A
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Micron Technology Inc. | - | - | 描述:IC DRAM LPDDR4 2G FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:- 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.1V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W958D8NBYA4I
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:512MB HYPERRAM X8, 250MHZ, IND T *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:250 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:28 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25LX256-JHLE
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ROHS
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC FLSH 256MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25WX256-JHLE
Datasheet 规格书
ROHS
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480
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC FLSH 256MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS66WVO32M8DALL-200BLI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC PSRAM 256MBIT SPI OCT 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:40ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS6C8016B-45ZIN
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135
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:SRAM, 8M, 512M X16, -40C-85C, TS *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:8Mb（512K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25LP512MG-JLLE
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480
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:IC FLASH 512MBIT SPI QUAD 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:50µs，1ms 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS6C8008B-45ZIN
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ROHS
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:SRAM, 8M, 1MX8, -40C-85C, TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25LP512MG-RHLE
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ROHS
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480
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA（6x8） | 描述:IC FLSH 512MBIT SPI QUAD 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:50µs，1ms 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS25LP512MG-RMLE-TY
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ROHS
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:512MB QPI/QSPI, 16-PIN SOP 300MI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:50µs，1ms 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W959D8NFYA5I
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ROHS
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA, DDP (6x8) | 描述:2GB LPDDR2, X32, 400MHZ, -40 ~ 1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA, DDP (6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S80KS2563GABHI020
Datasheet 规格书
ROHS
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338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:256 MB HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S80KS2562GABHI020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA（6x8） | 描述:HYPERRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |