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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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IS66WVS1M8ALL-104NLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC | 描述:IC PSRAM 8MBIT SPI QPI 8SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:8Mb(1M x 8) 存储器接口:SPI,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MX30LF1G28AD-TI
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Macronix | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:20ns 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVQ2M4DBLL-133BLI
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480
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC PSRAM 8MBIT SPI QUAD 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:8Mb(2M x 4) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:37.5ns 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVQ2M4DALL-200BLI
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480
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC PSRAM 8MBIT SPI QUAD 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:8Mb(2M x 4) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:40ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LX064-JHLE
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC FLSH 64MBIT SPI OCTAL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25WX064-JHLE
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC FLSH 64MBIT SPI OCTAL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25R128JWPIQ
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:RPMC SPIFLASH, 1.8V, 128M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVS2M8BLL-104NLI
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100
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC | 描述:IC PSRAM 16MBIT SPI QPI 8SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVS2M8ALL-104NLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC | 描述:IC PSRAM 16MBIT SPI QPI 8SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVQ4M4DBLL-133BLI
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480
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC PSRAM 16MBIT SPI QUAD 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:16Mb(4M x 4) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:37.5ns 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVQ4M4DALL-200BLI
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480
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC PSRAM 16MBIT SPI QUAD 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:16Mb(4M x 4) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:40ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9825G6KB-6
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319
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Winbond Electronics | 54-TFBGA | 54-TFBGA(8x8) | 描述:64MB, SDR SDRAM, X16, 166MHZ, 46 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVS4M8ALL-104NLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC | 描述:IC PSRAM 32MBIT SPI QPI 8SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVS4M8BLL-104NLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC | 描述:IC PSRAM 32MBIT SPI QPI 8SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVQ8M4DBLL-133BLI
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480
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC PSRAM 32MBIT SPI QUAD 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:32Mb(8M x 4) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVQ8M4DALL-200BLI
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480
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC PSRAM 32MBIT SPI QUAD 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:32Mb(8M x 4) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W97BH2MBVA2J
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:128MB SDR SDRAM X16, 166MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb(64M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVO8M8DBLL-166BLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC PSRAM 64MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:36ns 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVO32M8DBLL-166BLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC PSRAM 256MBIT SPI OCT 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:36ns 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS66WVO8M8DALL-200BLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC PSRAM 64MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM(伪 SRAM) *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:40ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LX128-JHLE
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC FLSH 128MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W9812G6KB-6
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319
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Winbond Electronics | 54-TFBGA | 54-TFBGA(8x8) | 描述:256MB SDR SDRAM X16, 166MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb(8M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GG6NB12I
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:1GB DDR3 SDRAM, X16, INDUSTRIAL *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU8NB12I
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242
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 800MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU6NB12I
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:1GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |