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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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GS81302Q36AGD-300I
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA（13x15） | 描述:IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口，同步，QDR II *存储容量:144Mb（4M x 36） 存储器接口:并联 时钟频率:300 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 100°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GS81313LQ18GK-800I
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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GSI Technology Inc. | 260-BGA | 260-BGA（22x14） | 描述:IC SRAM 144MBIT PARALLEL 260BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口，同步，QDR IIIe *存储容量:144Mb（8M x 18） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.2V ~ 1.35V 工作温度:-40°C ~ 100°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:260-BGA 供应商器件封装:260-BGA（22x14） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GS81313LQ36GK-800I
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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GSI Technology Inc. | 260-BGA | 260-BGA（22x14） | 描述:IC SRAM 144MBIT PARALLEL 260BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口，同步，QDR IIIe *存储容量:144Mb（4M x 36） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.2V ~ 1.35V 工作温度:-40°C ~ 100°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:260-BGA 供应商器件封装:260-BGA（22x14） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GS8256436GB-400I
Datasheet 规格书
ROHS
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GSI Technology Inc. | 119-BGA | 119-FPBGA（22x14） | 描述:IC SRAM 288MBIT PAR 119FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，标准 *存储容量:288Mb（8M x 36） 存储器接口:并联 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V，3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 100°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-FPBGA（22x14） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GS82564Z18GD-400I
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA（13x15） | 描述:IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，ZBT *存储容量:288Mb（16M x 18） 存储器接口:并联 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V，3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 100°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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GS81314LQ37GK-933I
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GSI Technology Inc. | 260-BGA | 260-BGA（22x14） | 描述:IC SRAM 144MBIT PARALLEL 260BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口，同步，QDR IVe *存储容量:144Mb（4M x 36） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.25V ~ 1.35V 工作温度:-40°C ~ 100°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:260-BGA 供应商器件封装:260-BGA（22x14） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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04EM04-N3GM627-GA06U
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Kingston | 221-VFBGA | 221-VFBGA（13x11.5） | 描述:4GB MLC EMMC 5.0 HS400 + 4GB LPD *存储器类型:易失 *存储器格式:- 技术:- *存储容量:4Gb，4Gb 存储器接口:eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V，3.3V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:221-VFBGA 供应商器件封装:221-VFBGA（13x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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08EM08-N3GML36-01B00
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托盘
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Kingston | 221-VFBGA | 221-VFBGA（13x11.5） | 描述:EMCP 8GB EMMC +8GB LPDDR3 X32 IO *存储器类型:易失 *存储器格式:- 技术:- *存储容量:8Gb，8Gb 存储器接口:eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V，3.3V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:221-VFBGA 供应商器件封装:221-VFBGA（13x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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EMMC64G-TY29-5B111
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Kingston | 153-WFBGA | 153-WFBGA（11.5x13） | 描述:eMMC 5.1(Boosted Performance) *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:64Gb 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V，3.3V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-WFBGA 供应商器件封装:153-WFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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08EP08-N3GTC32-GA67
Datasheet 规格书
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Kingston | 136-FBGA | 136-FBGA (10x10) | 描述:EPOP 8GB EMMC +8GB LPDDR3 X8/X32 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR *存储容量:8Gb，8Gb 存储器接口:eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V，3.3V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:136-FBGA 供应商器件封装:136-FBGA (10x10) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S29GL512N11TFIV20
Datasheet 规格书
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:NOR FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512M- *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb（32M x 16，64M x 8） 存储器接口:CFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:110ns 访问时间:110 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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EMMC128-TY29-5B111
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ROHS
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Kingston | 153-WFBGA | 153-WFBGA（11.5x13） | 描述:eMMC 5.1(Boosted Performance) *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:128Gb 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V，3.3V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-WFBGA 供应商器件封装:153-WFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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32EP16-M4FTC32-GA67
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ROHS
托盘
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Kingston | 144-FBGA | 144-FBGA (8x9.5) | 描述:EPOP 32GB EMMC +16GB LPD4X X8/X1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR *存储容量:32Gb，16Gb 存储器接口:eMMC 5.1 HS400 + LPDDR4X 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V，3.3V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:144-FBGA 供应商器件封装:144-FBGA (8x9.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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EMMC256-TY29-5B111
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Kingston | 153-WFBGA | 153-WFBGA（11.5x13） | 描述:eMMC 5.1(Boosted Performance) *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V，3.3V 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-WFBGA 供应商器件封装:153-WFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q01JVTBIQ
Datasheet 规格书
ROHS
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480
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:SPIFLASH, 1G-BIT, 4KB UNIFORM SE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3.5ms 访问时间:7.5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q64JVZPIQ
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ROHS
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570
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x5） | 描述:SPIFLASH, 64M-BIT, 4KB UNIFORM S *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q256JWPIQ
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x5） | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q256JWPIM
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x5） | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MX30LF2G28AD-XKI
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ROHS
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220
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Macronix | 63-VFBGA | 63-VFBGA（9x11） | 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:20ns 访问时间:16 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M30082040054X0IWAY
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ROHS
托盘
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Renesas Electronics America Inc | 8-VDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（5x6） | 描述:IC RAM 8MBIT SPI/QUAD I/O 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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SFEM005GB1ED1TO-I-5E-11P-STD
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Swissbit | 153-TFBGA | 153-BGA（11.5x13） | 描述:INDUSTRIAL EMBEDDED MMC, EM-36, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:40Gb（5G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AF008GEC5A-2001A3
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
760
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ATP Electronics, Inc. | 153-FBGA | 153-BGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 64GBIT EMMC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（pSLC） *存储容量:64Gb（8G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-FBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AF016GEC5X-2001A3
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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ATP Electronics, Inc. | 153-FBGA | 153-BGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 128GBIT EMMC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（MLC） *存储容量:128Gb（16G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-FBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AF064GEC5X-2001EX
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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ATP Electronics, Inc. | 153-FBGA | 153-BGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 512GBIT EMMC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（MLC） *存储容量:512Gb（64G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-FBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS66WVS1M8BLL-104NLI
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ROHS
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:IC PSRAM 8MBIT SPI QPI 8SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:SPI，QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |