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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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SFEM256GB1ED1TO-I-8H-111-STD
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Swissbit | 153-TFBGA | 153-BGA(11.5x13) | 描述:INDUSTRIAL EMBEDDED MMC, EM-30, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Tb(256G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SFEM080GB1ED1TO-I-8H-11P-STD
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Swissbit | 153-TFBGA | 153-BGA(11.5x13) | 描述:INDUSTRIAL EMBEDDED MMC, EM-36, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:640Gb(80G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662PXF BEST
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 512GB BICS4 3D TLC (1 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662PXF BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 160GB 3D TLC BICS4 3D *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662PEF BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 160GB BICS4 3D TLC + *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 512GB BICS4 3D TLC + *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662GEF BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 160GB BICS43D TLC + E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 512GB BICS4 3D TLC + *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS81280Z36GT-333I
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GSI Technology Inc. | 100-LQFP | 100-TQFP(20x14) | 描述:IC SRAM 144MBIT PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,ZBT *存储容量:144Mb(4M x 36) 存储器接口:并联 时钟频率:333 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(20x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS82583ED18GK-625I
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GSI Technology Inc. | 260-BGA | 260-BGA(22x14) | 描述:IC SRAM 288MBIT PARALLEL 260BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口,同步 *存储容量:288Mb(16M x 18) 存储器接口:并联 时钟频率:675 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.25V ~ 1.35V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:260-BGA 供应商器件封装:260-BGA(22x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25R64JWZPIQ
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:RPMC SPIFLASH, 1.8V, 64M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8182Q18BGD-333I
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA(13x15) | 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口,同步,QDR II *存储容量:18Mb(1M x 18) 存储器接口:并联 时钟频率:333 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA(13x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS880Z18CGT-333I
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GSI Technology Inc. | 100-LQFP | 100-TQFP(20x14) | 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,ZBT *存储容量:9Mb(512K x 18) 存储器接口:并联 时钟频率:333 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(20x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS816018DGT-333I
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GSI Technology Inc. | 100-LQFP | 100-TQFP(20x14) | 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,标准 *存储容量:18Mb(1M x 18) 存储器接口:并联 时钟频率:333 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(20x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS882Z36CGD-333I
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA(13x15) | 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,ZBT *存储容量:9Mb(256K x 36) 存储器接口:并联 时钟频率:333 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA(13x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8342D36BGD-400I
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA(13x15) | 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口,同步,QDR II *存储容量:36Mb(1M x 36) 存储器接口:并联 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA(13x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS832036AGT-333I
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GSI Technology Inc. | 100-LQFP | 100-TQFP(20x14) | 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,标准 *存储容量:36Mb(1M x 36) 存储器接口:并联 时钟频率:333 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(20x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8640Z36GT-300I
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GSI Technology Inc. | 100-LQFP | 100-TQFP(20x14) | 描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,ZBT *存储容量:72Mb(2M x 36) 存储器接口:并联 时钟频率:300 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(20x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8662R36BGD-400I
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA(13x15) | 描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口,同步,DDR II *存储容量:72Mb(2M x 36) 存储器接口:并联 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA(13x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8662Q18BGD-357I
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA(13x15) | 描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口,同步,QDR II *存储容量:72Mb(4M x 18) 存储器接口:并联 时钟频率:357 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA(13x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8662D18BGD-400I
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA(13x15) | 描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口,同步,QDR II *存储容量:72Mb(4M x 18) 存储器接口:并联 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA(13x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8662T36BGD-400I
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA(13x15) | 描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口,同步,DDR II *存储容量:72Mb(2M x 36) 存储器接口:并联 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA(13x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8662Q37BGD-357I
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA(13x15) | 描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口,同步,QDR II+ *存储容量:72Mb(2M x 36) 存储器接口:并联 时钟频率:357 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA(13x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS81284Z18GB-250I
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GSI Technology Inc. | 119-BGA | 119-FPBGA(22x14) | 描述:IC SRAM 144MBIT PAR 119FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,ZBT *存储容量:144Mb(8M x 18) 存储器接口:并联 时钟频率:250 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-FPBGA(22x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8128418GB-250I
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GSI Technology Inc. | 119-BGA | 119-FPBGA(22x14) | 描述:IC SRAM 144MBIT PAR 119FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,标准 *存储容量:144Mb(8M x 18) 存储器接口:并联 时钟频率:250 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-FPBGA(22x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |