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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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EM32VSUKN-BA000-2
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1520
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Delkin Devices, Inc. | 153-VFBGA | 153-FBGA(11.5x13) | 描述:IC FLASH 256GBIT EMMC 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb(32G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-FBGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MTFC32GASAONS-IT
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1520
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Micron Technology Inc. | 153-TFBGA | 153-TFBGA(11.5x13) | 描述:USSD 256G *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb(32G x 8) 存储器接口:MMC 时钟频率:52 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-TFBGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
M3008316045NX0IBCY
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168
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Renesas Electronics America Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA(10x10) | 描述:8MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 45N *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:8Mb(512K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(10x10) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HL02GTDPBHV050
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260
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:NOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SPI - 双 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8161Z36DGD-333I
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36
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA(13x15) | 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,ZBT *存储容量:18Mb(512K x 36) 存储器接口:并联 时钟频率:333 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA(13x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
M3016316045NX0IBCY
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168
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Renesas Electronics America Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA(10x10) | 描述:16MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 45 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(10x10) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
M3016316035NX0IBCY
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168
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Renesas Electronics America Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA(10x10) | 描述:16MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:16Mb(1M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(10x10) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8342Q19BGD-357I
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15
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA(13x15) | 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口,同步,QDR II+ *存储容量:36Mb(2M x 18) 存储器接口:并联 时钟频率:357 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA(13x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
M3032316045NX0IBCY
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168
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Renesas Electronics America Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA(10x10) | 描述:32MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 45 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:32Mb(2M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(10x10) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
M3032316035NX0IBCY
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168
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Renesas Electronics America Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA(10x10) | 描述:32MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:32Mb(2M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(10x10) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS864236GB-300I
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14
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GSI Technology Inc. | 119-BGA | 119-FPBGA(22x14) | 描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 119FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,标准 *存储容量:72Mb(2M x 36) 存储器接口:并联 时钟频率:300 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-FPBGA(22x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS8642Z36GB-250IV
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14
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GSI Technology Inc. | 119-BGA | 119-FPBGA(22x14) | 描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 119FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步,ZBT *存储容量:72Mb(2M x 36) 存储器接口:并联 时钟频率:250 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V,2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-FPBGA(22x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
GS82582D20GE-550I
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10
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GSI Technology Inc. | 165-LBGA | 165-FPBGA(15x17) | 描述:IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 四端口,同步,QDR II+ *存储容量:288Mb(16M x 18) 存储器接口:并联 时钟频率:550 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-FPBGA(15x17) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q512NWEIM
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:SPIFLASH, 512M-BIT, 1.8V, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
THGAMVG8T13BAIL
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Kioxia America, Inc. | - | - | 描述:IC FLASH 256GBIT EMMC 153FBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
THGBMUG8C2LBAIL
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Kioxia America, Inc. | - | - | 描述:IC FLASH 256GBIT EMMC 153FBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
EMD4E001G16G2-150CAS2
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Everspin Technologies Inc. | 96-TFBGA | 96-BGA(10x13) | 描述:IC RAM 1GBIT PAR 667MHZ 96BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:18 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-BGA(10x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S29GL256P11FAI010
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256MBIT CFI 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(256Mb(16M x 16) 存储器接口:CFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S29GL512N11FFI010
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:FLASH, 32MX16, 110NS, PBGA64 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(32M x 16,64M x 8) 存储器接口:CFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25FL128SAGBAEA00
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(6x8) | 描述:FLASH, 32MX4, PBGA24 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:750µs 访问时间:6.5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MR3A16ACYS35
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Everspin Technologies Inc. | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 54-TSOP2 | 描述:IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:8Mb(512K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:54-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AF016GEC5X-2001EX
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ATP Electronics, Inc. | 153-FBGA | 153-BGA(11.5x13) | 描述:IC FLASH 128GBIT EMMC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(MLC) *存储容量:128Gb(16G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-FBGA 供应商器件封装:153-BGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AF064GEC5A-2001IX
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ATP Electronics, Inc. | 153-FBGA | 153-BGA(11.5x13) | 描述:IC FLASH 512GBIT EMMC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(pSLC) *存储容量:512Gb(64G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-FBGA 供应商器件封装:153-BGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AF128GEC5X-2001EX
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ATP Electronics, Inc. | 153-FBGA | 153-BGA(11.5x13) | 描述:IC FLASH 1TB EMMC 153BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(MLC) *存储容量:1Tb(128G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-FBGA 供应商器件封装:153-BGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AS4C4M16SB-6TIN
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Alliance Memory, Inc. | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 54-TSOP II | 描述:SDR, 64MB, 4M X 16, 3.3V, 54PIN *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb(4M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:12ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:54-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |