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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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MR25H128ACDF
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570
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Everspin Technologies Inc. | 8-VDFN 裸露焊盘 | 8-DFN-EP,小标志(5x6) | 描述:IC RAM 128KBIT SPI 40MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:128Kb(16K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN-EP,小标志(5x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W97AH6NBVA1I
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168
|
Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:1GB LPDDR2, X16, 533MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W97AH2NBVA1I
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168
|
Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:1GB LPDDR2, X32, 533MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:1Gb(32M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AS4C16M16SB-6BIN
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348
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Alliance Memory, Inc. | 54-TFBGA | 54-TFBGA(8x8) | 描述:SDR, 256MB, 16M X 16, 3.3V, 54-B *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:12ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TFBGA 供应商器件封装:54-TFBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
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1
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Micron Technology Inc. | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 48-TSOP I | 描述:SLC 4GBIT X8 3.3V 48 TSOP AAT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W63AH2NBVADI
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189
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Winbond Electronics | 178-VFBGA | 178-VFBGA(11x11.5) | 描述:1GB LPDDR3, X32, 1066MHZ, INDUST *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:1Gb(32M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:178-VFBGA 供应商器件封装:178-VFBGA(11x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MX60LF8G28AD-TI
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96
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Macronix | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 8GBIT SPI 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:8Gb(1G x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MX60LF8G28AD-XKI
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|
Macronix | 63-VFBGA | 63-VFBGA(9x11) | 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:8Gb(1G x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W66CP2NQUAFJ
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144
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 1600MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb(128M x 32) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W66CQ2NQUAFJ
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144
|
Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1600MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:4Gb(128M x 32) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AS4C512M8D4-75BCN
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242
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Alliance Memory, Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA(7.5x10.6) | 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.333 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:18 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x10.6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AS4C512M8D4-83BIN
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242
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Alliance Memory, Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA(7.5x10.6) | 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.2 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:18 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x10.6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
M3004316045NX0IBCY
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168
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Renesas Electronics America Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA(10x10) | 描述:4MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 45N *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:4Mb(256K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(10x10) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AS4C1G8D4-75BCN
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209
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Alliance Memory, Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA(7.5x12) | 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:8Gb(1G x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.333 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:18 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x12) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HL512TDPNHB010
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676
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x8) | 描述:SEMPER FLASH WITH QUAD SPI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HL512TDPMHB010
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240
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:SEMPER FLASH WITH QUAD SPI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HL512TDPBHM010
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338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:SEMPER FLASH WITH QUAD SPI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HL01GTDPMHI010
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2400
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:SEMPER FLASH WITH QUAD SPI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
FEMC008G-M10
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50
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Flexxon Pte Ltd | 153-VFBGA | 153-FBGA(11.5x13) | 描述:IC FLASH 64GBIT EMMC 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(MLC) *存储容量:64Gb(8G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-FBGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HS01GTDPMHI010
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240
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:SEMPER FLASH WITH QUAD SPI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
SM662GEB BESS
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Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA(14x18) | 描述:FERRI EMMC 10GB BICS4 3D TLC + E *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HL01GTFAMHI010
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2400
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:SEMPER FLASH WITH QUAD SPI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HL01GTDPMHA010
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2400
|
Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:SEMPER FLASH WITH QUAD SPI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S25HL01GTFAMHA010
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2400
|
Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:SEMPER FLASH WITH QUAD SPI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S26HL01GTFPBHI030
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1300
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Cypress Semiconductor Corp | 24-VBGA | 24-FBGA(6x8) | 描述:NOR *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |