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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt MT62F1G64D8CH-031 WT:A
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Micron Technology Inc. - - 描述:IC FLASH 64GBIT FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR5 *存储容量:64Gb（1G x 64） 存储器接口:- 时钟频率:3.2 GHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D
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Micron Technology Inc. - - 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 132VBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MT53E128M16D1DS-053 IT:A
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Micron Technology Inc. 200-WFBGA 200-WFBGA（10x14.5） 描述:IC DRAM LPDDR4 WFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS2502PU-1188+
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EPROM 技术:EPROM - OTP *存储容量:1Kb（1K x 1） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:15 µs *电压 - 电源:2.8V ~ 6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt CG8941AT
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Cypress Semiconductor Corp - - 描述:IC *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt CG8952AM
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Cypress Semiconductor Corp - - 描述:IC *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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alt S99-50242 P
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散装
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散装
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Cypress Semiconductor Corp - - 描述:IC *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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