服务热线
0755-28435922
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
|
R1Q4A3618CBB-33IA0
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Renesas | 165-LBGA | 165-LBGA（13x15） | 描述:R1Q4A3618 - STANDARD SRAM, 2MX18 *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，DDR II *存储容量:36Mb（2M x 18） 存储器接口:并联 时钟频率:300 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:450 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-LBGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
UPD48288236AF1-E24-DW1-A
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Renesas | 144-TBGA | 144-TFBGA（11x18.5） | 描述:UPD48288236AF1 - LOW LATENCY HIG *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:LLDRAM *存储容量:288Mb（8M x 36） 存储器接口:HSTL 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:500 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:144-TBGA 供应商器件封装:144-TFBGA（11x18.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Renesas | 144-TBGA | 144-TFBGA（11x18.5） | 描述:UPD48576209 - DDR DRAM, 0.24NS *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:LLDRAM *存储容量:576Mb（64M x 9） 存储器接口:HSTL 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:144-TBGA 供应商器件封装:144-TFBGA（11x18.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Renesas | 144-TBGA | 144-TFBGA（11x18.5） | 描述:UPD48576236F1 - LOW LATENCY HIGH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:LLDRAM *存储容量:576Mb（16M x 36） 存储器接口:HSTL 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:300 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:144-TBGA 供应商器件封装:144-TFBGA（11x18.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
UPD48576118F1-E18-DW1-A
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Renesas | 144-TBGA | 144-TFBGA（11x18.5） | 描述:UPD48576118F1 - LOW LATENCY HIGH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:LLDRAM *存储容量:576Mb（32M x 18） 存储器接口:HSTL 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:300 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:144-TBGA 供应商器件封装:144-TFBGA（11x18.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
R1Q4A7218ABB-33IA0
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Renesas | 165-LBGA | 165-LBGA（13x15） | 描述:R1Q4A7218 - STANDARD SRAM, 2MX18 *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，DDR II *存储容量:72Mb（4M x 18） 存储器接口:并联 时钟频率:300 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:450 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-LBGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
R1Q2A7236ABB-40IA0
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Renesas | 165-LBGA | 165-LBGA（13x15） | 描述:R1Q2A7236 - STANDARD SRAM, 2MX36 *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步 *存储容量:72Mb（2M x 36） 存储器接口:并联 时钟频率:250 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:450 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-LBGA 供应商器件封装:165-LBGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
CYD18S18V18-167BBAXC
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Rochester Electronics, LLC | 256-LBGA | 256-FBGA（17x17） | 描述:CYD18S18 - FULLFLEX SYNCHRONOUS *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步，标准 *存储容量:18Mb（1M x 18） 存储器接口:并联 时钟频率:167 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:4 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:256-LBGA 供应商器件封装:256-FBGA（17x17） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
MT28F01012
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Intel | 32-LCC（J 形引线） | 32-PLCC | 描述:28F010 - 128K X 8 FLASH, MIL TEM *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:120ns 访问时间:120 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LCC（J 形引线） 供应商器件封装:32-PLCC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
CY7C026AV-20AXCKJ
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Cypress Semiconductor Corp | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:CY7C026 - 3.3V 16K X 16 DUAL-POR *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:256Kb（16K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:20ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MT40A1G16TB-062E:F
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Micron Technology Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（7.5x13） | 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb（1G x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.5 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
MT29F16G08CBACAL72A3WC1L
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Micron Technology Inc. | 模具 | 触片 | 描述:MOD NAND FLASH 16G MLC DIE 2GX8 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（MLC） *存储容量:16Gb（2G x 8） 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:20ns 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:触片 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Micron Technology Inc. | 模具 | 模具 | 描述:MOD NAND FLASH 1G 128MX8 DIE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Micron Technology Inc. | 模具 | 模具 | 描述:MOD NAND FLASH 1G 128MX8 DIE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
MT40A512M16TB-062E:R
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Micron Technology Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（7.5x13） | 描述:MOD DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:8Gb（512M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MT40A1G8SA-062E:R
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x11） | 描述:MOD DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:8Gb（1G x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
IS46QR16256B-083RBLA2
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 96-TFBGA | 96-TWBGA（9x13） | 描述:IC DDR4 256 MB 96-FBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
SM662PXB-BEST
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMMC 153-B EMMC 3D TLC NAN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:- 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
SM668GE8-ACS
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Silicon Motion, Inc. | 100-LBGA | 100-BGA（14x18） | 描述:FERRI-EMMC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:64Gb（8G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-BGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
MT40A2G8SA-062E:F
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x11） | 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb（2G x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.5 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
SM668PE8-ACS
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Silicon Motion, Inc. | 153-TFBGA | 153-BGA（11.5x13） | 描述:FERRI-EMMC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:64Gb（8G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-TFBGA 供应商器件封装:153-BGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MT53E512M32D1NP-053 RS WT:B
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Micron Technology Inc. | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
MTFC32GAZAQDW-AAT
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Micron Technology Inc. | - | - | 描述:IC FLASH NAND 256GB 153VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
MT29F16G08ABECBM72A3WC1L
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Micron Technology Inc. | 模具 | 触片 | 描述:MOD NAND FLASH 16G 2GX8 DIE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:16Gb（2G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:触片 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MT40A2G8NEA-062E:R
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x11） | 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb（2G x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:13.75 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |