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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
24CS512-E/SN66KVAO
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Microchip Technology 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:512K I2C SERIAL EEPROM, EXT, 8-S *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:512Kb(64K x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:3.4 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E22P-04A-00+2
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD,J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KBIT 1-WIRE 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb(2K x 1) 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:5µs 访问时间:2 µs *电压 - 电源:2.97V ~ 3.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD,J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W01+C
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD,J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb(256 x 4) 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD,J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS25LQ025B-JVLE
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-VVSOP 描述:IC FLASH 256KB SPI 90NM 8VVSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-VVSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS25LQ010B-JVLE
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-VVSOP 描述:IC FLASH 1MBIT SPI 90NM 8VVSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Mb(128K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-VVSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS25LQ512B-JVLE
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-VVSOP 描述:IC FLASH 512KB SPI 90NM 8VVSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Kb(64K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-VVSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS25LQ020B-JVLE
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-VVSOP 描述:IC FLASH 2MBIT SPI 90NM 8VVSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:2Mb(256K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-VVSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS25LQ040B-JVLE
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-VVSOP 描述:IC FLASH 4MBIT SPI 90NM 8VVSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb(512K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-VVSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS25LQ040B-JDLE
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-TSSOP(4.40mm 宽) 8-TSSOP 描述:IC FLASH 4MBIT SPI 90NM 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb(512K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP(4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MX30UF1G28AD-TI
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Macronix 63-VFBGA 63-VFBGA(9x11) 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W25N512GWFIG
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Winbond Electronics 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS25LP512MG-RMLI
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 512MBIT SPI QUAD 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:2ms 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85RS256TYPNF-G-AWE2
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Kaga FEI America, Inc. 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOP 描述:IC FRAM 256KBIT SPI 25MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:33 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MB85R256FPNF-G-JNE2
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Kaga FEI America, Inc. 28-SOIC(0.342",8.69mm 宽) 28-SOP 描述:IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:150ns 访问时间:150 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC(0.342",8.69mm 宽) 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85RS4MTPF-G-JNE2
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Kaga FEI America, Inc. 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOP 描述:IC FRAM 4MBIT SPI 40MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:4Mb(512K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:9 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85RC256VPF-G-JNE2
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Kaga FEI America, Inc. 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOP 描述:IC FRAM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:550 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85RS2MTPF-G-JNE2
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10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Kaga FEI America, Inc. 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOP 描述:IC FRAM 2MBIT SPI 25MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:2Mb(256K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:25 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S25FL256SAGNFE001
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Cypress Semiconductor Corp 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x8) 描述:FLASH - NOR 256MBIT 32M X 8 2.7V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:750µs 访问时间:6.5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
FM25L16B-G3T
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2832-FM25L16B-G3T
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Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:NO DESCRIPTION *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:16Kb(2K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt DS2432X+U
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 8-WFBGA,CSPBGA 8-UCSP(2.52x1.8) 描述:IC EEPROM W/SHA-1 ENG 1KB *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb(1K x 1) 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:10ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:2.8V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WFBGA,CSPBGA 供应商器件封装:8-UCSP(2.52x1.8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MT40A4G4SA-062E:F
散装
1260
10+: 302.5670 100+: 297.1640 1000+: 294.4625 3000+: 286.3580
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Micron Technology Inc. 78-TFBGA 78-FBGA(7.5x11) 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb(4G x 4) 存储器接口:并联 时钟频率:1.5 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C
散装
10+: 330.1697 100+: 324.2738 1000+: 321.3259 3000+: 312.4821
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Micron Technology Inc. 100-VBGA 100-VBGA(12x18) 描述:IC FLASH 16GB PARALLEL 100VBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:16Gb(2G x 8) 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:20ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-VBGA 供应商器件封装:100-VBGA(12x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MT29F16G08ABACAWP-AAT:C
散装
960
10+: 330.1697 100+: 324.2738 1000+: 321.3259 3000+: 312.4821
我要买
Micron Technology Inc. 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 48-TSOP I 描述:IC FLASH 16GB PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:16Gb(2G x 8) 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:20ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
CAT24WC04WI-TE13
散装
10+: 0.4430 100+: 0.4351 1000+: 0.4311 3000+: 0.4192
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onsemi 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:CAT24WC04 - 4-KBIT SERIAL EEPROM *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb(512 x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字,页:10ms 访问时间:1 µs *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
CAT24WC66JI-TE13
散装
10+: 0.4430 100+: 0.4351 1000+: 0.4311 3000+: 0.4192
我要买
onsemi 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:CAT24WC66 - 64-KBIT I2C SERIAL E *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb(8K x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字,页:10ms 访问时间:1 µs *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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