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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S29PL032J60BFW120
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ROHS
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Cypress Semiconductor Corp | 48-FBGA(8.15x6.15) | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (2M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:60ns *电压 - 电源:-25°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8.15x6.15) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(2m x 16) 速度:60ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S29GL256S10TFI020
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455
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S10TFIV10
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91
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S10TFIV20
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910
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S11TFIV10
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910
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S11TFIV20
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91
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S90TFI020
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托盘
91
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S10WEI019
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散装
25
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Cypress Semiconductor Corp | 模具 | 触片 | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL WAFER *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:触片 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S10WEI029
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散装
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Cypress Semiconductor Corp | 模具 | 触片 | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL WAFER *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:触片 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29PL032J55BFI122
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-FBGA(8.15x6.15) | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (2M x 16) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8.15x6.15) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(2m x 16) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SAGBHV200
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托盘
338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SAGBHVA00
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托盘
25
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S34ML02G100TFV003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
25
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g(256m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |||
S34MS01G100BHB000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |||
S34MS01G104BHB010
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ROHS
托盘
|
Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(64m x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |||
S34MS01G104BHB080
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(64m x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |||
S34MS01G104BHI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
210
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(64m x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |||
S25FL256SDSMFB003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX29GL128EHT2I-90G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
96
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Macronix | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX29GL128ELT2I-90G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
5
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Macronix | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
AS4C4M32D1-5BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Alliance Memory, Inc. | - | 144-BGA | 描述:IC DRAM 128M PARALLEL 144BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:128Mb (4M x 32) 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:12ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:- 供应商器件封装:144-BGA 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:128m(4m x 32) 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v | |
S29GL256S90DHI023
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2200
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S10DHI013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2200
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S10DHI023
Datasheet 规格书
ROHS
剪切带(CT)
2200
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S10DHIV13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2200
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |