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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S25FS256SAGMFV003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
CY62256NLL-55SNXET
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 28-SOIC | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:28-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | ||
CY62256NLL-55ZXET
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
25
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Cypress Semiconductor Corp | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 封装/外壳:28-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | ||
S25FL256SAGNFI011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
1230
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WSON(6x8) | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-WDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-WSON(6x8) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S34ML02G104BHI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA(11x9) | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Gb (128M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA(11x9) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g(128m x 16) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S34ML02G100TFI900
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g(256m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |||
S29PL032J70BAI122
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-FBGA(8.15x6.15) | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (2M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8.15x6.15) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(2m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S29PL032J70BFI122
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-FBGA(8.15x6.15) | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (2M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8.15x6.15) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(2m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S25FL256SAGBHIA00
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ROHS
托盘
1690
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SAGBHV203
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SAGBHVA03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
AS7C32096A-15TINTR
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ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C32096A-20TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C32096A-20TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C32098A-10TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C32098A-10TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C32098A-12TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C32098A-12TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C32098A-15TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C32098A-15TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C32098A-20TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C32098A-20TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
MX30LF2G28AB-XKI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Macronix | 63-VFBGA | 63-VFBGA(9x11) | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nand(slc) 存储容量:2g(256m x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX30LF2G18AC-XKI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2200
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Macronix | 63-VFBGA | 63-VFBGA(9x11) | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nand(slc) 存储容量:2g(256m x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SDSMFB000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
480
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |