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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S29GL256S10TFV010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
910
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL256S10TFV020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
91
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL256S11TFV010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
910
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL256S11TFV020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
91
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S70FL256P0XBHI203
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（6X8） | 描述:IC FLASH 256MBIT *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（6X8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S70FL256P0XBHI213
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（6X8） | 描述:IC FLASH 256MBIT *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（6X8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY7C1021CV33-10ZSXAT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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CY7C1019CV33-10ZXAT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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CY7C1021DV33-10ZSXAT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
25
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S34ML04G200TFI003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g（512m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
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CY62137FV18LL-55BVXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb （128K x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m（128k x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 2.25 v |
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CY62138FV30LL-45BVXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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Cypress Semiconductor Corp | 36-VFBGA | 36-VFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 36VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb （256K x 8） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-VFBGA 供应商器件封装:36-VFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m（256k x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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71256SA20PZG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71256SA12PZG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS4C64M16D3L-12BCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 96-VFBGA | 96-FBGA (8x13) | 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA (8x13) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr3l sdram 存储容量:1g（64m x 16） 速度:800mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.283 v ~ 1.45 v |
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AS4C64M8D2-25BCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-FBGA（8x10） | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb （64M x 8） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（8x10） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr2 sdram 存储容量:512m（64m x 8） 速度:400mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v |
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AS4C16M32MD1-5BCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
160
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Alliance Memory, Inc. | 90-VFBGA | 90-FBGA（8x13） | 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb（16M x 32） 存储器接口:并联 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-VFBGA 供应商器件封装:90-FBGA（8x13） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:移动 ddr sdram 存储容量:512m（16m x 32） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v |
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S25FL256SAGMFV003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SAGMFV013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SAGMFVG03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SAGMFVR03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SDPMFV003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SDPMFV013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SDSMFV013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128LAGMFA010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
560
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |