服务热线
0755-28435922
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
|
AS7C34098A-20TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
|
AS7C34098A-20TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
|
AS7C4096A-12TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
|
AS7C4096A-12TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
|
AS7C4096A-15TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
|
AS7C4096A-15TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
|
AS7C4096A-20TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
|
AS7C4096A-20TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
|
AS7C4098A-12TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
|
AS7C4098A-12TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
S25FL256SAGMFBG03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
|
Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
|
S25FL256SDSMFBG03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
|
Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
S25FL256SAGBHBA03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
|
Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
S34ML02G100BHA003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
|
|
S34ML02G100BHB003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
|
S29AL008J55TFAR20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） | 48-TSOP（18.4X12） | 描述:IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb （1M x 8，512K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40MM 宽） 供应商器件封装:48-TSOP（18.4X12） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m（1m x 8 或 512k x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
|
S29GL128P10FFIS12
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA（13x11） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
|
S29PL032J55BFI120
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Cypress Semiconductor Corp | 48-FBGA（8.15x6.15） | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （2M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 封装/外壳:48-FBGA（8.15x6.15） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（2m x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
|
CY62128EV30LL-45ZXAT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
25
|
Cypress Semiconductor Corp | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:2.2V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:32-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v | |
|
CY62128EV30LL-45SXAT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） | 32-SOIC | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 供应商器件封装:32-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
|
CY62126EV30LL-45ZSXAT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
|
CY62128EV30LL-45ZAXAT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 32-sTSOP | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:32-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
|
S29GL256S10DHA023
Datasheet 规格书
ROHS
2200
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
|
|
S29GL256S10DHAV23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2200
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
|
S29GL256S11DHB023
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2200
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |