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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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71V016SA20BFGI
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ROHS
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476
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA(7x7) | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(7x7) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
S34MS02G100BHV000
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA(11x9) | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:1.7V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA(11x9) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g(256m x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | ||
S34MS02G104BHV010
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g(128m x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |||
71V424S15YG8
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标准卷带
500
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 36-SOJ | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:36-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
S34ML02G104BHA013
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g(128m x 16) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |||
AS4C4M32S-6BINTR
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标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 90-TFBGA | 90-TFBGA(8x13) | 描述:IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb (4M x 32) 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:2ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-TFBGA 供应商器件封装:90-TFBGA(8x13) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:128m(4m x 32) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS6C4008-55BIN
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480
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Alliance Memory, Inc. | 36-TFBGA | 36-TFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-TFBGA 供应商器件封装:36-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | |
AS6C4016-55BIN
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Alliance Memory, Inc. | 48-LFBGA | 48-TFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | |
MX29GL256FUT2I-11G
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ROHS
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96
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Macronix | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SAGMFAG13
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标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
CY7C199D-25SXET
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带卷(TR)
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Cypress Semiconductor Corp | 28-SOIC(7.50MM 宽) | 28-SOIC | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:28-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:28-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
AS7C34096A-10TCNTR
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ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34096A-10TINTR
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标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34096A-12TCNTR
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标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34096A-12TINTR
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ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34096A-15TCNTR
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ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34096A-15TINTR
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标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34096A-20TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34096A-20TINTR
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ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34098A-10TCNTR
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ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34098A-10TINTR
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ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34098A-12TCNTR
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ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34098A-12TINTR
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ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34098A-15TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C34098A-15TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |