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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S29GL256S90FHSS13
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64 球加强型 BGA(13X11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA(13X11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
S29GL256S90FHSS23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
S29GL256S90FHSS33
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
S29GL256S90FHSS43
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
S29GL256S90FHSS53
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
S29GL256S90FHSS63
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
CY62147EV30LL-45BVXIT
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ROHS
标准卷带
2000
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v | |
CY14MB064Q2B-SXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC | 描述:IC NVSRAM 64K SPI 40MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:40MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:nvsram(非易失 sram) 存储容量:64k(8k x 8) 速度:40mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S34ML04G200BHI003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g(512m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |||
S34ML04G200BHI503
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA(11x9) | 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb (512M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA(11x9) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g(512m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S34ML04G200BHI903
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA(11x9) | 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb (512M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA(11x9) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g(512m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
AS4C64M16D3-12BINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA (9x13) | 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb (64M x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA (9x13) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr3 sdram 存储容量:1g(64m x 16) 速度:800mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.425 v ~ 1.575 v | |
AS4C16M32MD1-5BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
160
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Alliance Memory, Inc. | 90-VFBGA | 90-FBGA(8x13) | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb (16M x 32) 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-VFBGA 供应商器件封装:90-FBGA(8x13) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:移动 ddr sdram 存储容量:512m(16m x 32) 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |
S29VS128RABBHI003
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
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Cypress Semiconductor Corp | 44-VFBGA | 44-VTBGA(7.5X5) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA(7.5X5) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |
S29VS128RABBHI013
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
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Cypress Semiconductor Corp | 44-VFBGA | 44-VTBGA(7.5X5) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA(7.5X5) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |
S29VS128RABBHW003
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
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Cypress Semiconductor Corp | 44-VFBGA | 44-VTBGA(7.5X5) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA(7.5X5) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |
S29XS128RABBHW003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 44-VFBGA | 44-FBGA(7.5x5) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:80ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-FBGA(7.5x5) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |
71V424S15PHGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
135
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
CY62256VNLL-70ZXE
Datasheet 规格书
ROHS
管件
234
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Cypress Semiconductor Corp | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 封装/外壳:28-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S29GL032N90DFBR23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2200
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (4M x 8,2M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(4m x 8,2m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SDPNFB003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
25
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x8) | 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
CY14MB064J2A-SXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC | 描述:IC NVSRAM 64K I2C 3.4MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:- 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字,页:3.4MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:nvsram(非易失 sram) 存储容量:64k(8k x 8) 速度:3.4mhz 接口:i2c,2 线串口 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
71V016SA10BFGI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
476
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA(7x7) | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(7x7) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v | |
71V016SA12BFGI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
476
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA(7x7) | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(7x7) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
71V016SA15BFGI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
476
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA(7x7) | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(7x7) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |