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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S25FS256SDSNFI000
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ROHS
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676
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x8) | 描述:IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
S25FL256SAGBHIB00
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338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(6x8) | 描述:IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SAGBHID10
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3380
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Cypress Semiconductor Corp | 24-BGA(6x8) | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(6x8) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S25FL256SAGBHIS00
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338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SAGBHIT00
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3380
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(6x8) | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SDPBHIC00
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338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(8x6) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S25FL256SDPBHIC10
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338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(8x6) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
AS4C32M16MD1-6BCN
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Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-FPBGA(8x9) | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb (32M x 16) 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FPBGA(8x9) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:移动 ddr sdram 存储容量:512m(32m x 16) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v | |
AS4C128M8D3L-12BCN
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托盘
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Alliance Memory, Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA(8x10.5) | 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr3l sdram 存储容量:1g(128m x 8) 速度:800mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.283 v ~ 1.45 v | |
CY62136FV30LL-45BVXIT
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标准卷带
2000
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v | |
S29GL128P11FFIS40
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托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
CY62256VNLL-70SNXE
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管件
270
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Cypress Semiconductor Corp | 28-SOIC | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:28-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
6116LA20SOG
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管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
6116LA25SOG
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管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
6116SA15SOG
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ROHS
管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
6116SA20SOG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
310
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
6116SA25SOG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
310
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
CY62136FV30LL-45BVXI
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托盘
480
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v | |
6116LA20TPG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
15
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-DIP(0.300",7.62mm) | 24-PDIP | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:24-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:24-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
6116SA20TPG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
15
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-DIP(0.300",7.62mm) | 24-PDIP | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:24-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:24-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
6116SA25TPG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
15
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-DIP(0.300",7.62mm) | 24-PDIP | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:24-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:24-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
71256SA12PZG
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ROHS
管件
234
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) | 28-TSOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
71256SA20PZG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
234
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) | 28-TSOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
71V416S12YGI
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管件
16
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
71V416S15YGI
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ROHS
管件
16
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |