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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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共 55516 款产品满足条件
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
S25FS256SDSNFI000
托盘
676
10+: 15.0986 100+: 14.8290 1000+: 14.6942 3000+: 14.2898
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Cypress Semiconductor Corp 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x8) 描述:IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v
S25FL256SAGBHIB00
托盘
338
10+: 1.1137 100+: 1.0938 1000+: 1.0839 3000+: 1.0541
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Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(6x8) 描述:IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGBHID10
托盘
3380
10+: 1.0378 100+: 1.0193 1000+: 1.0100 3000+: 0.9822
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Cypress Semiconductor Corp 24-BGA(6x8) 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(6x8) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGBHIS00
托盘
338
10+: 0.8226 100+: 0.8080 1000+: 0.8006 3000+: 0.7786
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGBHIT00
托盘
3380
10+: 1.0378 100+: 1.0193 1000+: 1.0100 3000+: 0.9822
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Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(6x8) 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SDPBHIC00
托盘
338
10+: 18.5410 100+: 18.2100 1000+: 18.0444 3000+: 17.5478
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Cypress Semiconductor Corp 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(8x6) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SDPBHIC10
托盘
338
10+: 15.0986 100+: 14.8290 1000+: 14.6942 3000+: 14.2898
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Cypress Semiconductor Corp 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(8x6) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
AS4C32M16MD1-6BCN
托盘
10+: 30.8174 100+: 30.2671 1000+: 29.9919 3000+: 29.1664
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Alliance Memory, Inc. 60-TFBGA 60-FPBGA(8x9) 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb (32M x 16) 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FPBGA(8x9) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:移动 ddr sdram 存储容量:512m(32m x 16) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v
AS4C128M8D3L-12BCN
托盘
10+: 30.8680 100+: 30.3168 1000+: 30.0412 3000+: 29.2143
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Alliance Memory, Inc. 78-TFBGA 78-FBGA(8x10.5) 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr3l sdram 存储容量:1g(128m x 8) 速度:800mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.283 v ~ 1.45 v
CY62136FV30LL-45BVXIT
标准卷带
2000
10+: 1.0504 100+: 1.0317 1000+: 1.0223 3000+: 0.9942
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Cypress Semiconductor Corp 48-VFBGA 48-VFBGA(6x8) 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v
S29GL128P11FFIS40
托盘
10+: 34.0320 100+: 33.4243 1000+: 33.1204 3000+: 32.2088
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:*
CY62256VNLL-70SNXE
管件
270
10+: 0.9112 100+: 0.8950 1000+: 0.8868 3000+: 0.8624
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Cypress Semiconductor Corp 28-SOIC 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:28-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
6116LA20SOG
管件
10+: 34.0573 100+: 33.4491 1000+: 33.1450 3000+: 32.2328
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IDT, Integrated Device Technology Inc 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 24-SOIC 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
6116LA25SOG
管件
10+: 34.0573 100+: 33.4491 1000+: 33.1450 3000+: 32.2328
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 24-SOIC 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
6116SA15SOG
管件
10+: 34.0573 100+: 33.4491 1000+: 33.1450 3000+: 32.2328
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 24-SOIC 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
6116SA20SOG
管件
310
10+: 20.6419 100+: 20.2733 1000+: 20.0890 3000+: 19.5361
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 24-SOIC 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
6116SA25SOG
管件
310
10+: 20.6419 100+: 20.2733 1000+: 20.0890 3000+: 19.5361
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 24-SOIC 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
CY62136FV30LL-45BVXI
托盘
480
10+: 13.2255 100+: 12.9894 1000+: 12.8713 3000+: 12.5170
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-VFBGA 48-VFBGA(6x8) 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v
6116LA20TPG
管件
15
10+: 21.3886 100+: 21.0067 1000+: 20.8157 3000+: 20.2428
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-DIP(0.300",7.62mm) 24-PDIP 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:24-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:24-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
6116SA20TPG
管件
15
10+: 21.3886 100+: 21.0067 1000+: 20.8157 3000+: 20.2428
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-DIP(0.300",7.62mm) 24-PDIP 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:24-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:24-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
6116SA25TPG
管件
15
10+: 21.3886 100+: 21.0067 1000+: 20.8157 3000+: 20.2428
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-DIP(0.300",7.62mm) 24-PDIP 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:24-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:24-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71256SA12PZG
管件
234
10+: 20.6419 100+: 20.2733 1000+: 20.0890 3000+: 19.5361
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 28-TSOP 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71256SA20PZG
管件
234
10+: 8.3403 100+: 8.1914 1000+: 8.1169 3000+: 7.8935
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 28-TSOP 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71V416S12YGI
管件
16
10+: 21.3886 100+: 21.0067 1000+: 20.8157 3000+: 20.2428
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
71V416S15YGI
管件
16
10+: 21.3886 100+: 21.0067 1000+: 20.8157 3000+: 20.2428
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IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
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