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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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FM24CL64B-GATR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOIC | 描述:IC FRAM 64K I2C 1MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:550ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字，页:1MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram（ferroelectric ram） 存储容量:64k（8k x 8） 速度:1mhz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGBHBA03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
25
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SDPBHBC03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29JL032J60BHI313
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-FBGA（8.15x6.15） | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:60ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 封装/外壳:48-FBGA（8.15x6.15） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8，2m x 16） 速度:60ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S29JL032J60BHI323
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-FBGA（8.15x6.15） | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:60ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 封装/外壳:48-FBGA（8.15x6.15） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8，2m x 16） 速度:60ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S29JL032J70BHI313
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-FBGA（8.15x6.15） | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8.15x6.15） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8，2m x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29JL032J70BHI323
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-FBGA（8.15x6.15） | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8.15x6.15） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8，2m x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29JL032J60TFI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
192
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16） 存储器接口:60ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8，2m x 16） 速度:60ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGNFV001
Datasheet 规格书
ROHS
管件
82
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGNFV011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
82
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY62137FV30LL-45BVXIT
Datasheet 规格书
ROHS
2000
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb （128K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m（128k x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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71V016SA12BF8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-CABGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-CABGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V016SA15BF8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-CABGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-CABGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V016SA15BFG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V016SA20BF8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-CABGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-CABGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71016S15YGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71016S20PHGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
135
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71016S20YGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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CY7C199D-10ZXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
25
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Cypress Semiconductor Corp | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 封装/外壳:28-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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71V256SA12PZGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
234
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31026C-10BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Alliance Memory, Inc. | 48-LFBGA | 48-BGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-BGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S34ML01G100BHV003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA（11x9） | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA（11x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S34ML01G200TFV000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
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AS6C6264A-70PCN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Alliance Memory, Inc. | 28-DIP（0.600"，15.24mm） | 28-PDIP | 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:28-DIP（0.600"，15.24mm） 供应商器件封装:28-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k（8k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS6C6264A-70PIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Alliance Memory, Inc. | 28-DIP（0.600"，15.24mm） | 28-PDIP | 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:28-DIP（0.600"，15.24mm） 供应商器件封装:28-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k（8k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |