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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S25FL128SDSMFBG00
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2400
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL128SAGMFB001
Datasheet 规格书
ROHS
管件
705
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL128SDSMFB001
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ROHS
管件
705
|
Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL128SDSMFBG01
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ROHS
管件
705
|
Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
AS4C4M32D1-5BCN
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|
Alliance Memory, Inc. | - | 144-BGA | 描述:IC DRAM 128M PARALLEL 144BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:128Mb (4M x 32) 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:12ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:- 供应商器件封装:144-BGA 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:128m(4m x 32) 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v | |
S25FL128SAGBHBA00
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676
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL128SDPBHBC00
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3380
|
Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 128M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MT48LC16M16A2F4-6A:G
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1000
|
Alliance Memory, Inc. | 54-LFBGA | 54-VFBGA(8x8) | 描述:IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:167MHz 访问时间:14ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-LFBGA 供应商器件封装:54-VFBGA(8x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:256m(16m x 16) 速度:167mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
S29GL128P90TFCR20
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25
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
CY7C1021BNL-15ZXIT
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标准卷带
25
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | ||
CY7C1021BNV33L-15ZXIT
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ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | ||
71V424S15PHG8
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ROHS
标准卷带
1500
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
71V424S10PHG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
71V424S12PHG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1500
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS4C16M16D1-5BCN
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ROHS
托盘
240
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Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-TFBGA(8x13) | 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb(16M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:700 ps *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-TFBGA(8x13) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:256m(16m x 16) 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v | |
71V256SA20PZG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
234
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) | 28-TSOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
S34ML01G100BHV000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
210
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Cypress Semiconductor Corp | 63-VFBGA | 63-BGA(11x9) | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-BGA(11x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S34ML01G100TFV000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |||
CY62138FV30LL-45ZXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1500
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Cypress Semiconductor Corp | 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v | |
71124S20YG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
AS4C2M32SA-6TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) | 86-TSOP II | 描述:IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb (2M x 32) 存储器接口:5.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:2ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:86-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:64m(2m x 32) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
71V016SA10BF8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-CABGA(7x7) | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-CABGA(7x7) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v | |
S25FL128SAGMFB003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
25
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL128SDSMFB003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL128SDSMFBG03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1450
|
Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |