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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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AS4C16M16D1A-5TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 66-TSOP II | 描述:IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:66-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:256m（16m x 16） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v |
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AS4C4M32SA-7TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 86-TSOP II | 描述:IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:143MHz 访问时间:2ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:86-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:128m（4m x 32） 速度:143mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S34ML02G200TFI503
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TSOP I | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S34ML02G200BHI503
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA（11x9） | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA（11x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S34ML02G200TFI003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
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SM662GX8-AC
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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- | 描述:FERRI-EMMC BGA 100-B EMMC 5.0 ML *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | ||
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CY7C1021BNV33L-15BAIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFBGA | 48-FBGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S34MS01G104BHV013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA（11x9） | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:1.7V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA（11x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（64m x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |
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CY7C1021D-10VXIT
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
500
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Cypress Semiconductor Corp | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb（64K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS4C4M32S-7BCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 90-TFBGA | 90-TFBGA（8x13） | 描述:IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb （4M x 32） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:143MHz 访问时间:2ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-TFBGA 供应商器件封装:90-TFBGA（8x13） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:128m（4m x 32） 速度:143mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS6C4016A-45BINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 48-VFBGA | 48-VFBGA（6x7） | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（6x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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AS4C32M16D2A-25BINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 84-TFBGA | 84-TFBGA（8x12.5） | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TFBGA（8x12.5） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr2 sdram 存储容量:512m（32m x 16） 速度:400mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v |
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S29GL128S90DHA013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL128S90DHA023
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGMFIR01
Datasheet 规格书
ROHS
管件
47
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FS128SAGMFI101
Datasheet 规格书
ROHS
管件
91
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O， QPI 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v |
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71124S15YGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71124S20YGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS6C4008A-55SINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） | 32-SOP | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 供应商器件封装:32-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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AS6C4008A-55STINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1500
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Alliance Memory, Inc. | 32-LFSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 32-sTSOP | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LFSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:32-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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AS6C4008A-55ZINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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AS6C4008A-55TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1500
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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AS6C4016A-45ZINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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S25FL128SAGMFB000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
240
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SDSMFB000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
240
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |