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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 安装类型 包装
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共 1652 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
RN1610(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74，SOT-457 SM6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN1706JE(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SOT-553 ESV
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV *晶体管类型:2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-553 供应商器件封装:ESV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN4605(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74，SOT-457 SM6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BCR185SH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 PG-SOT363-6
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN1903,LF(CT
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 US6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:US6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH10,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH13,115
10+: ￥0.6328 100+: ￥0.6215 1000+: ￥0.6159 3000+: ￥0.5989
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH13,315
10+: ￥0.5569 100+: ￥0.5469 1000+: ￥0.5419 3000+: ￥0.5270
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN2702TE85LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 USV
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV *晶体管类型:2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:USV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN1901FETE85LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SOT-563，SOT-666 ES6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:ES6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMA566030R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components 6-SMD，扁平引线 SMINI6-F3-B
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，扁平引线 供应商器件封装:SMINI6-F3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC5640M0R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components 6-SMD，扁平引线 SMINI6-F3-B
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，扁平引线 供应商器件封装:SMINI6-F3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMA4NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 UMT5
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMG3NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 UMT5
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DCX4710H-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧，47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DCX114EU-13R-F
10+: ￥0.2784 100+: ￥0.2735 1000+: ￥0.2710 3000+: ￥0.2635
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5335DW1T2G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5115DW1T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5116DW1T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5133DW1T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5316DW1T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5315DW1T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMC3NT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 SC-70
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:SC-70 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSB4904DW1T1G
10+: ￥1.0631 100+: ￥1.0441 1000+: ￥1.0346 3000+: ￥1.0062
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSTB60BDW1T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88 *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:140MHz *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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