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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
EMB3T2R
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Rohm Semiconductor SOT-563，SOT-666 EMT6
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 2.5mA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:EMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BCR133SH6327XTSA1
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Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 PG-SOT363-6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:130MHz *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BCR10PNH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 PG-SOT363-6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:130MHz *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMA1NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 UMT5
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC5640L0R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components 6-SMD，扁平引线 SMINI6-F3-B
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，扁平引线 供应商器件封装:SMINI6-F3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC114EPDXV6T1G
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ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBLS2001D,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-74，SOT-457 6-TSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，20V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 280mV @ 100mA，1A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 280mV @ 100mA，1A *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA，100nA *频率 - 跃迁:185MHz *功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBLS4002D,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-74，SOT-457 6-TSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 310mV @ 100mA，1A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 310mV @ 100mA，1A *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA，100nA *频率 - 跃迁:150MHz *功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
PBLS6001D,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-74，SOT-457 6-TSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，60V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 340mV @ 100mA，1A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 340mV @ 100mA，1A *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA，100nA *频率 - 跃迁:185MHz *功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBLS4001D,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-74，SOT-457 6-TSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 310mV @ 100mA，1A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 310mV @ 100mA，1A *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA，100nA *频率 - 跃迁:150MHz *功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
PBLS4005D,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-74，SOT-457 6-TSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 310mV @ 100mA，1A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 310mV @ 100mA，1A *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA，100nA *频率 - 跃迁:150MHz *功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
IMD3AT108
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 SMT6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDA114YU-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDC143TU-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
IMH21T110
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 SMT6
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDC124EU-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UP0411100L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SOT-563，SOT-666 SSMINI6-F1
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:80MHz *功率 - 最大值:125mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SSMINI6-F1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
UP0421400L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Panasonic Electronic Components SOT-563，SOT-666 SSMINI6-F1
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:150MHz *功率 - 最大值:125mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SSMINI6-F1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
UP0121300L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SOT-665 SSMINI5-F2
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:150MHz *功率 - 最大值:125mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-665 供应商器件封装:SSMINI5-F2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
UP0431100L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SOT-563，SOT-666 SSMINI6-F1
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:150MHz，80MHz *功率 - 最大值:125mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SSMINI6-F1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
RN2961(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 US6
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:US6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN2606(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74，SOT-457 SM6
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN2607(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Toshiba Semiconductor SC-74，SOT-457 SM6
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN2605(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74，SOT-457 SM6
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN2703JE(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SOT-553 ESV
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV *晶体管类型:2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-553 供应商器件封装:ESV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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