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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
PBLS1503Y,115
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，15V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA，100nA *频率 - 跃迁:280MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBLS4002Y,115
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:300MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBLS4005Y,115
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:300MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBLS4003Y,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:300MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBLS4004Y,115
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:300MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
IMD10AT108
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Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 SMT6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧，100 欧姆 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz，200MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
IMD16AT108
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Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 SMT6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100 千欧，2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 2.5mA，50mA / 300mV @ 100µA，1mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA / 300mV @ 100µA，1mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FMA5AT148
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Rohm Semiconductor SC-74A，SOT-753 SMT5
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FMG4AT148
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Rohm Semiconductor SC-74A，SOT-753 SMT5
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC961040R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SOT-665 SSMINI5-F4-B
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:125mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-665 供应商器件封装:SSMINI5-F4-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
QSH29TR
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Rohm Semiconductor SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 TSMT6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:1.25W 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:TSMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN1962TE85LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 US6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:US6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN2506(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74A，SOT-753 SMV
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV *晶体管类型:2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN1911FETE85LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SOT-563，SOT-666 ES6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:ES6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5113DW1T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 *晶体管类型:- *电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:- 安装类型:- 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN1905FE,LF(CT
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SOT-563，SOT-666 ES6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:ES6 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1
MUN5212DW1T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN2904FE,LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SOT-563，SOT-666 ES6
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:ES6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN4910,LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 US6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:US6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN2601(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74，SOT-457 SM6
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN2911,LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 US6
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:US6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN4904,LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 US6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:US6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMD4,115
10+: ￥0.3923 100+: ￥0.3853 1000+: ￥0.3818 3000+: ￥0.3713
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMH16,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN1507(TE85L,F)
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Toshiba Semiconductor SC-74A，SOT-753 SMV
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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