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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
DCX124EU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDA114TU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 100µA,1mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 100µA,1mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDC144EU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DCX124EK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SC-74R | SC-74R |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74R
供应商器件封装:SC-74R
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC123JPDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC114YPDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMG5NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMC5NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA,100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧,4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧,10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMB2NTN
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PBLS6002D,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SC-74,SOT-457 | 6-TSOP |
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
*晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA,700mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V,60V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA / 340mV @ 100mA,1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA / 340mV @ 100mA,1A
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA,100nA
*频率 - 跃迁:185MHz
*功率 - 最大值:600mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMD6NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMG1NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W UMT5
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PBLS6003D,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SC-74,SOT-457 | 6-TSOP |
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
*晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA,700mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V,60V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA / 340mV @ 100mA,1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA / 340mV @ 100mA,1A
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA,100nA
*频率 - 跃迁:185MHz
*功率 - 最大值:600mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMH10NTN
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMH6NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMG11NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMG8NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PBLS2002D,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SC-74,SOT-457 | 6-TSOP |
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
*晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA,1A
电压 - 集射极击穿(最大值):50V,20V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧
不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA / 280mV @ 100mA,1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA / 280mV @ 100mA,1A
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA,100nA
*频率 - 跃迁:185MHz
*功率 - 最大值:600mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
IMH11AT110
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SC-74,SOT-457 | SMT6 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:SMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
RN1502(TE85L,F)
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-74A,SOT-753 | SMV |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74A,SOT-753
供应商器件封装:SMV
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
RN2502(TE85L,F)
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-74A,SOT-753 | SMV |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
*晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74A,SOT-753
供应商器件封装:SMV
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
IMH3AT110
Datasheet 规格书
ROHS
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Rohm Semiconductor | SC-74,SOT-457 | SMT6 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:SMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMD12NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMB10NTN
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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UMH2NTN
Datasheet 规格书
ROHS
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Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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