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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
RN1605TE85LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74，SOT-457 SM6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN1604(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74，SOT-457 SM6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMB10,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA *频率 - 跃迁:180MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMB11,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMB11,135
10+: ￥0.2911 100+: ￥0.2859 1000+: ￥0.2833 3000+: ￥0.2755
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMB2,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PUMB13,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDA123JU-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN1606(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74，SOT-457 SM6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD3,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD3,315
10+: ￥0.6201 100+: ￥0.6091 1000+: ￥0.6035 3000+: ￥0.5869
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMB11,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:180MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMD9,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH9,115
10+: ￥0.6328 100+: ￥0.6215 1000+: ￥0.6159 3000+: ￥0.5989
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH9,315
10+: ￥0.5569 100+: ￥0.5469 1000+: ￥0.5419 3000+: ￥0.5270
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH11,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PEMH11,315
10+: ￥0.5569 100+: ￥0.5469 1000+: ￥0.5419 3000+: ￥0.5270
我要买
Nexperia USA Inc. SOT-563，SOT-666 SOT-666
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BCR22PNH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 PG-SOT363-6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:130MHz *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BCR135SH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 PG-SOT363-6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:150MHz *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN4603(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74，SOT-457 SM6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz，250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DCX143EU-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDC144TU-7
10+: ￥0.7467 100+: ￥0.7334 1000+: ￥0.7267 3000+: ￥0.7067
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA *电流 - 集电极截止（最大值）:850nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDA114EU-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDA144EU-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDA114YU-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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