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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
DCX122LU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):220 欧姆
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DCX122TU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):220 欧姆
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DCX123JK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SC-74R | SC-74R |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74R
供应商器件封装:SC-74R
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DCX142JU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
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Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):470 欧姆
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DCX142TU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):470 欧姆
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DCX144EK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SC-74R | SC-74R |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74R
供应商器件封装:SC-74R
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DDA114EK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SOT-23-6 | SOT-26 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:SOT-26
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DDA114TK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SOT-23-6 | SOT-26 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 100µA,1mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 100µA,1mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:SOT-26
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DDA114YK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SOT-23-6 | SOT-26 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:SOT-26
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DDA123JK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SOT-23-6 | SOT-26 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:SOT-26
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DDA124EK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | SOT-23-6 | SOT-26 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:SOT-26
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DDA142JU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):470 欧姆
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DDA142TU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):470 欧姆
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DDA143TK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
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Diodes Incorporated | SOT-23-6 | SOT-26 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,2.5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,2.5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:SOT-26
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DDA144EK-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
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Diodes Incorporated | SOT-23-6 | SOT-26 |
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:SOT-26
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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DDC122LU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
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Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):220 欧姆
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDC122TU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):220 欧姆
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDC142JU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):470 欧姆
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDC142TU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):470 欧姆
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:200MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDA113TU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):1 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC114TDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUN5213DW1T3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSVB1706DMW5T1G
Datasheet 规格书
ROHS
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ON Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
EMC2DXV5T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-553 | SOT-553 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-553
供应商器件封装:SOT-553
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
EMC5DXV5T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-553 | SOT-553 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧,4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧,10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-553
供应商器件封装:SOT-553
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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